[实用新型]一种阵列基板和显示装置有效
申请号: | 201420833783.7 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN204257646U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 胡春静;王辉锋 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 阵列 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种阵列基板和显示装置。
背景技术
有机电致发光器件(organic electroluminescent device,简称OLED)相对于液晶显示器(Liquid Crystal Display,简称LCD)具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,是下一代显示技术。OLED的成膜方式主要有蒸镀制程和溶液制程,蒸镀制程在小尺寸应用较为成熟,目前该技术已经应用于量产中。而溶液制程的成膜方式主要有喷墨打印、喷嘴涂覆、旋涂、丝网印刷等,由于喷墨打印技术的材料利用率较高,可以实现大尺寸化,是目前大尺寸OLED实现量产的重要方式。现有的制作OLED的工艺中需要预先在基板的电极上制作像素界定层(pixel defining layer,简称PDL),以便于墨滴可以精确的流入相应的RGB亚像素区中。
现有技术中的OLED的PDL的截面形状以正梯形为主,同时为了保证墨滴在氧化铟锡(Indium tin oxide,简称ITO)像素内铺展不溢出到像素外的PDL区域,PDL多采用表面能较小的疏液型材料。但是由于墨滴与PDL接触处两者之间的表面能差异和PDL的坡角,靠近PDL边缘的墨滴中的溶剂挥发的较快,这样墨滴最终干燥后会形成边缘厚,中间薄的不均匀薄膜,即出现咖啡环效应。由于咖啡环效应的存在,最终形成的显示器件中的有机材料功能层的各个膜层中,每个膜层各自的膜层厚度在靠近PDL处会出现不均一的问题。具体如图1中所示,有机材料功能层5中的区域51处会出现膜层厚度不均一的问题,从而使得显示器件的亮度不均匀,影像显示器的画面的显示质量。
实用新型内容
本实用新型的实施例提供一种阵列基板和显示装置,解决了现有的显示器结构中的有机材料功能层的各个膜层中,每个膜层各自的膜层厚度在靠近像素界定层处会出现不均一的问题,避免出现显示器的亮度不均匀,提高了显示器的画面的显示质量。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
第一方面,提供一种阵列基板,所述阵列基板包括:衬底基板;形成在所述衬底基板上的第一电极层,形成在所述第一电极层上的像素界定层,所述像素界定层具有使所述第一电极层暴露的开口,形成在所述第一电极层上与所述开口区域对应的有机材料功能层,所述第一电极层与所述开口对应的区域包括:第一区域和第二区域,所述第一区域为与所述像素界定层连接的区域,所述第二区域为所述第一电极层与所述开口对应区域中除所述第一区域以外的区域,其中:
所述第一电极层的所述第一区域为第一弧形结构,所述第一弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的,所述第一电极层的所述第二区域为第二弧形结构,所述第二弧形结构朝向所述衬底基板突出;
所述第二弧形结构与所述第一弧形结构平滑连接。
可选的,所述第一电极层的所述第二区域为平坦结构;
所述平坦结构与所述第一弧形结构平滑连接。
可选的,所述第一电极层与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
可选的,所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第三弧形结构,所述第三弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的,所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第四弧形结构,所述第四弧形结构朝向所述衬底基板突出;
所述第四弧形结构与所述第三弧形结构平滑连接。
可选的,所述有机材料功能层上与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构;
所述平坦结构与所述第三弧形结构平滑连接。
可选的,所述阵列基板还包括设置在所述第一电极层下,且紧邻所述第一电极层的缓冲层,其中:
所述缓冲层与所述第一电极层的第一区域对应的区域为第五弧形结构,所述第五弧形结构朝向所述衬底基板突出。
可选的,所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为第六弧形结构,所述第六弧形结构朝向所述衬底基板突出;
所述第六弧形结构与所述第五弧形结构平滑连接。
可选的,所述缓冲层与所述第一电极层的第二区域对应的区域为平坦结构;
所述平坦结构与所述第五弧形结构平滑连接。
可选的,所述缓冲层上与所述像素界定层对应的区域为平坦结构。
可选的,所述像素界定层的上表面与所述第一电极层的最底部的上表面之间的距离小于或者等于1.5um。
可选的,所述第一电极层的厚度为30-200nm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的