[实用新型]LED芯片有效
| 申请号： | 201420762434.0 | 申请日： | 2014-12-08 |
| 公开（公告）号： | CN204289500U | 公开（公告）日： | 2015-04-22 |
| 发明（设计）人： | 张杰;彭遥 | 申请（专利权）人： | 惠州比亚迪实业有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/42 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 516083*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | led 芯片 | ||
【权利要求书】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：
衬底；
在所述衬底之上依次包括缓冲层、N型半导体层、发光层、电子阻挡层、P型半导体层和透明导电层，其中，所述透明导电层的表面设置不同间隔的多个同心弧线沟槽；
位于所述透明导电层之上与所述透明导电层电连接的P型电极，和位于所述透明导电层旁侧与所述N型半导体层电连接的N型电极。
2.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述弧线沟槽以所述P型电极为中心，越靠近所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越大，越远离所述P型电极所述弧线沟槽的间隔越小。
3.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述透明导电层的厚度为250-300nm，所述弧线沟槽的宽度为1-3um，所述弧线沟槽的间隔为2-15um，所述弧线沟槽的深度为80-200nm。
4.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，还包括：
钝化层，所述钝化层位于所述透明导电层之上除了所述P型电极的部分，以及所述透明导电层旁侧除了所述N型电极的部分。
5.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，电极包括Cr/Ti/Au电极、Cr/Pt/Au电极和Ti/Al/Ti/Au电极中的一种或两种。
6.如权利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述电子阻挡层为AlGaN层。
7.如权利要求4所述的LED芯片，其特征在于，所述钝化层为二氧化硅层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于惠州比亚迪实业有限公司，未经惠州比亚迪实业有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201420762434.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种小尺寸多彩LED灯珠
- 下一篇：一种微聚光增效光伏焊带
