[实用新型]有机显示器件及显示装置有效
申请号: | 201420744525.1 | 申请日: | 2014-12-01 |
公开(公告)号: | CN204204860U | 公开(公告)日: | 2015-03-11 |
发明(设计)人: | 向长江 | 申请(专利权)人: | 昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人: | 唐清凯 |
地址: | 215300 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 显示 器件 显示装置 | ||
技术领域
本实用新型涉及显示器制作领域,特别是涉及一种有机显示器件。
背景技术
通常有机显示器件的阵列基板外围引线区域设有为栅线提供开关扫描信号的电源线及时序信号线,以及直接从IC引出为数据线提供数据扫描的数据线引线。在阵列基板制造过程中,由于工艺复杂性及不稳定性,经常会在外围电路的引线区域出现断线现象,最终形成面板时造成数据线或者栅线无信号输入,导致屏幕显示不良,降低了产品的良品率。
在显示面板中一般通过当层修补或者预留修复线来解决断线,有机显示器件也可以通过以上方法解决方案,但都需要在阵列完成前修复完毕。同时由于现在对显示器的线宽线距要求越来越小,当层中预留修复线受到很大局限。
实用新型内容
基于此,有必要提供一种能后期修复阵列基板上的断线的有机显示器件。
一种有机显示器件,包括阵列基板、设置于所述阵列基板上且设有引线的外围电路、设置在所述外围电路所在层之上的有机平坦层及设置在有机平坦层上的阴极层,所述阴极层包括阴极电极以及与阴极电极间隔设置的修复线,所述修复线覆盖于所述引线上。
在其中一个实施例中,所述修复线为单条,其与每条引线均具有两个交叉处。
在其中一个实施例中,所述修复线为首尾相连的封闭结构。
在其中一个实施例中,所述修复线呈环形、方形。
在其中一个实施例中,所述修复线包括至少两条沿所述引线的排列方向设置的公共修复线,且相邻的公共修复线之间设有与之电连接的桥接修复线。
在其中一个实施例中,所述桥接修复线的数量和位置与引线的数量和位置一一对应。
在其中一个实施例中,所述有机平坦层与所述引线之间还具有中间保护层。
还提出一种显示装置,包括前述任一项所述的有机显示器件。
上述有机显示器件及显示装置,制作阴极时形成修复线,这样有机显示器件蒸镀或封装后仍然可以对外围引线区进行断线修复,修复显示不良,提高产品良品率。
附图说明
图1为有机显示器件的局部示意图;
图2为沿图1中A-A的示意剖面图;
图3为阴极层的示意俯视图。
具体实施方式
为了便于理解本实用新型,下面将参照相关附图对本实用新型进行更全面的描述。附图中给出了本实用新型的较佳的实施例。但是,本实用新型可以以许多不同的形式来实现,并不限于本文所描述的实施例。相反地,提供这些实施例的目的是使对本实用新型的公开内容的理解更加透彻全面。
需要说明的是,当元件被称为“固定于”另一个元件,它可以直接在另一个元件上或者也可以存在居中的元件。当一个元件被认为是“连接”另一个元件,它可以是直接连接到另一个元件或者可能同时存在居中元件。相反,当元件被称作“直接在”另一元件“上”时,不存在中间元件。本文所使用的术语“垂直的”、“水平的”、“左”、“右”以及类似的表述只是为了说明的目的。
除非另有定义,本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本实用新型的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本实用新型的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的,不是旨在于限制本实用新型。本文所使用的术语“及/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细的说明。
请参考图1至图3,本实用新型提供一种有机显示器件,包括阵列基板110、设置在阵列基板110上的有机平坦层120及设置在有机平坦层120之上的阴极层130。
如图1和图2所示,阵列基板110上设有缓冲层112、设置在缓冲层112上且包括引线114的外围电路。引线114之上设有中间保护层116。有机平坦层120置于中间保护层116之上。有机显示器件以有机显示面板为例进行说明。图1中,引线114位于显示区118的外围。
阴极层130设置在有机平坦层120之上。图2仅为有机显示器件的局部的示意剖视图,未显示阳极层、TFT层等层结构,上述层结构可采用本领域技术人员所熟知的有机发光的层结构,且非本实用新型改进重点,故此处不再赘述。
请参考图1和图2,本实用新型中,在有机显示器件中阴极蒸镀时预留修复线134,如此发现断线可以在蒸镀或封装完成后再通过激光熔接来修复断线。下面结合附图,详细描述修复线134的形成方式、构造及其修复原理。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的