[实用新型]一种软恢复续流的二极管

说明书

技术领域

本实用新型涉及二极管制作技术领域，特别涉及一种软恢复续流的二极管。

背景技术

大功率快速软恢复二极管主要应用在高频电力电子电路中，它与主回路中的晶闸管或IGBT等新型电力半导体开关器件相并联，开关器件反向时，流过负载中的无功电流，减小电容的充电时间，同时抑制因负载电流瞬时反向而感应的过电压尖峰。传统的二极管的反向恢复时间不够快，耐压性不够；这样在硬开关过程中存在二极管反向恢复电流（Irm）增加了开关器件开通损耗率和过电压尖峰，并且在快速di/dt开关时能够产生电磁干扰。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题，在于提供一种软恢复续流的二极管，缩短二极管的反向恢复时间，提高反向恢复软度，同时使二极管具有较高的耐压，从而达到控制自调节发射效率和缩短反向恢复时间的目的。

本实用新型是这样实现的：一种软恢复续流的二极管，所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为：在基区的N区从上至下依次设置有N₁区和N₂区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P⁺区；所述P区和4个P⁺区结构能控制空穴的注入效应。

进一步地，所述4个P⁺区均匀分布于P区。

本实用新型的优点在于：本发明在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P⁺区；快速软恢复二极管的基区和阳极之间采用缓冲层结构，使得在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。

附图说明

图1是本实用新型的结构示意图。

具体实施方式

请参阅图1所示，一种软恢复续流的二极管，所述二极管的阳极和阴极之间的基区采用缓冲层结构，所述的缓冲层结构为：在基区的N区从上至下依次设置有N₁区和N₂区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P⁺区；所述P区和4个P⁺区结构能控制空穴的注入效应；在基区的N区从上至下依次设置有N₁区和N₂区，这样N₁区和N₂区增加了二极管的耐性。

其中，所述4个P⁺区均匀分布于P区。从而达到控制自调节发射效率和缩短反向恢复时间的目的。

总之，本发明在基区的N区从上至下依次设置有N1区和N2区；在基区的P区中镶嵌有至少4个P⁺区；快速软恢复二极管的基区和阳极之间采用缓冲层结构，使得在空间电荷区扩展后的剩余基区内驻留更多的残存电荷，并且驻留时间更长，提高了二极管的软度。

以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，凡依本实用新型申请专利范围所做的均等变化与修饰，皆应属本实用新型的涵盖范围。