[实用新型]可升降臭氧氧化设备有效
申请号: | 201420580141.0 | 申请日: | 2014-10-09 |
公开(公告)号: | CN204257612U | 公开(公告)日: | 2015-04-08 |
发明(设计)人: | 费存勇;王志刚;鲁伟明;李省;初仁龙 | 申请(专利权)人: | 泰州德通电气有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L21/677 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 赵枫 |
地址: | 225300 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 升降 臭氧 氧化 设备 | ||
技术领域:
本实用新型涉及到一种可升降臭氧氧化设备,尤其适用于光伏行业刻蚀下料端使用。
背景技术:
在目前市场上,有很多行业使用到臭氧氧化设备,特别是在光伏行业刻蚀下料端有大量臭氧氧化设备使用,用于生长氧化膜以便实现组件的抗PID效果,但是现有的臭氧氧化设备存在以下弊端:重量较大,距离刻蚀下料滚轮较近,一旦刻蚀设备内部产生叠片堵在臭氧氧化设备下方,就需要手动将设备抬起将碎片取出,但因其太重操作操作起来不方便也不安全。因此急需一种可升降臭氧氧化设备。
发明内容:
本实用新型所要解决的技术问题:克服现有臭氧氧化设备无升降装置的弊端,提供一种可升降臭氧氧化设备。
为了解决上述技术问题,本实用新型是通过以下技术方案实现的,一种可升降臭氧氧化设备,由底柱、下底板、臭氧激发装置组成,所述的下底板与所述的臭氧激发装置之间设置有升降装置,所述升降装置包括有上底板、导柱、及传动装置,所述臭氧激发装置与所述上底板的正面固定连接,所述的上底板的反面设置有多个圆形定位凹槽,为了增强升降装置的稳定性,进一步的,所述圆形定位凹槽的数量至少有四个,所述圆形定位凹槽的内部设置有多个螺纹通孔,所述的螺纹通孔以圆形定位凹槽中心对称排列。
所述的导柱呈阶梯状,在所述阶梯处设置有多个螺纹通孔,所述螺纹通孔以导柱的中心对称分布,所述的下底板上正面设置有多个圆形通孔。
为了使动力装置能够与所述的导柱想连接,进一步的,所述传动装置包括水平设置于两个相邻两个导柱之间的导向轴,所述导向轴的两端各设置有一个同步轮,所述的导柱的竖直方向上固定连接有齿条,每个同步轮与相对应导柱上的齿条结构啮合,所述导向轴上还设置有位于两个同步轮之间的驱动轮,所述驱动轮连接到动力装置。
与现有技术相比,本实用新型的有益之处是:将传统的臭氧氧化设备上设置了升降装置,解决了特别是在光伏行业刻蚀下料端由于刻蚀设备叠片堵在臭氧氧化设备下方,需要手动将设备抬起将碎片取出的,不方便也不安全的做法。
附图说明:
下面结合附图对本实用新型进一步说明。
图1是本实用新型的轴测图。
图2是上底板俯视图。
图3是导柱轴测图。
图4是下底板俯视图。
图5是传送装置轴测图。
图中:1、底柱;2、下底板;3、臭氧激发装置;4、升降装置;5、上底板;6、导柱;7、传动装置;8、圆形定位凹槽;9:、阶梯状;10、螺纹通孔;11、槽;12、圆形通孔;13、导向轴;14、同步轮;15、齿条;16、驱动轮;17、动力装置。
具体实施方式:
下面结合附图及具体实施方式对本实用新型进行详细描述:
根据图1,图2,图3,图4以及图5所述的一种可升降臭氧氧化设备,由底柱1、下底板2、臭氧激发装置3组成,在所述的下底板2与所述的臭氧激发装置3之间设置有升降装置4,所述升降装置4包括有上底板5、导柱6、及传动装置7,所述臭氧激发装置3与所述上底板5的正面固定连接,所述的上底板5的反面设置有多个圆形定位凹槽8,所述圆形定位凹槽8的数量至少有四个,所述圆形定位凹槽8的内部设置有多个螺纹通孔10,所述的螺纹通孔10以圆形定位凹槽8中心对称排列,所述的导柱6呈阶梯状9,在所述阶梯状9处设置有多个螺纹通孔10,所述螺纹通孔10以导柱6的中心对称分布,在导柱的侧边设置有槽11,在所述的槽11上固定连接有齿条15,所述的下底板2上正面设置有多个圆形通孔12,所述传动装置7包括水平设置于两个相邻两个导柱之间的导向轴13,所述导向轴13的两端各设置有一个同步轮14,所述的导柱6的竖直方向上固定连接有齿条15,每个同步轮14与相对应导柱6上的齿条15啮合,所述导向轴13上还设置有位于两个同步轮14之间的驱动轮16,所述驱动轮16连接到动力装置17。
使用时,启动动力装置17,由于动力装置17连接到驱动轮16,从而带动导向轴13旋转,带动同步轮14旋转,因为同步轮14与齿条15相啮合,进而使得导柱6上下运动,从而可以实现臭氧氧化装置的上下运动。
需要强调的是:以上仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造