[实用新型]一种晶片固定盘有效
申请号: | 201420571511.4 | 申请日: | 2014-09-30 |
公开(公告)号: | CN204102875U | 公开(公告)日: | 2015-01-14 |
发明(设计)人: | 张家豪;徐靖家;杨家君;曾辉 | 申请(专利权)人: | 安徽三安光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 241000 安徽*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 固定 | ||
技术领域
本实用新型属于LED芯片制备领域,涉及一种晶片固定盘,其可应用于晶片研磨制程。
背景技术
在晶片的制备过程中需要对晶片的非外延层面进行研磨减薄及抛光,一方面减薄晶片以利于后续晶片的切割,另一方面晶片经研磨减薄后,可减小非外延层材料的吸光性,增加最终晶粒的发光特性。通常该步骤是先在表面光滑的晶片固定盘(见附图1)(常选用陶瓷盘)上滴放液态石蜡,后将晶片置放于石蜡上,再施加一定压力,使晶片与固定盘较紧密接触,石蜡经冷却凝固后,晶片被固定在固定盘上,然后对非接触面进行研磨抛光减薄到所需厚度;在研磨结束后再进行下蜡取片的步骤。
目前下蜡取片步骤主要是对固定盘加热使盘与晶片之间的石蜡融化,然后使用蜡铲沿晶片边缘铲起晶片,达到使晶片脱离固定盘的目的。而由于晶片与固定盘之间经由石蜡固定,加热之后石蜡融化造成晶片与盘之间产生真空状态使得晶片与盘接触较紧密,在用蜡铲取片时因受压不均而易造成碎片的现象,且因盘与晶片接触紧密需施加较大人力,则可能造成人力控制不当加大碎片的风险。
发明内容
针对上述问题,本实用新型提出了一种晶片固定盘,其用于研磨制成时可有效改善下蜡取片时的碎片现象。
本实用新型解决上述问题的技术方案为:一种晶片固定盘,具有一上表面,所述上表面上设置有固片区,用以放置晶片;在所述固片区上设置沟槽结构,防止石蜡融化后所述固定盘与晶片间形成真空状态。
优选的,所述沟槽结构以所述固定盘中心为端点沿远离中心方向呈放射状延伸至所述固定盘边缘。
优先的,所述沟槽远离端点处的间距小于或等于所述固定盘盛放晶片的直径。
优选的,所述沟槽数目等于或大于所述固定盘能容纳晶片的数目。
优选的,所述沟槽以盘中心为圆心与盘呈同心圆关系的环状结构。
优选的,所述沟槽数目等于或大于1,而当沟槽数大于1时,沟槽间距小于或等于所述固定盘盛放的晶片直径;当沟槽数等于1时,所述沟槽与盘中心位置的距离小于晶片直径。
优选的,所述沟槽结构宽度小于等于5毫米。本实用新型至少具有以下有益效果:在研磨制程中,当研磨结束后下蜡取片时,沟槽结构在石蜡融化后可以破除盘与晶片间的真空态,使晶片两面受压力均匀,减小破片概率;同时因为盘与晶片间真空态的破除,则不需要施加较大人力时就可以快速有效的进行下蜡取片的操作。
附图说明
附图用来提供对本发明的进一步理解,并且构成说明书的一部分,与本实用新型的实施例一起用于解释本发明,并不构成对本实用新型的限制。此外,附图数据是描述概要,不是按比例绘制。
图1为现有用于研磨制程的晶片固定盘侧俯视图。
图2和图3为实施例1之晶片固定盘侧俯视图。
图4和图5为实施例2之晶片固定盘侧俯视图。
图中:10:固定盘;20:爬上表面;21:盘号;22:晶片位置标号;23:沟槽;24:固片区;30:石蜡;40:晶片。
具体实施方式
下面各优选实施例公开了一种用于研磨制程的晶片固定盘,其盘表面开有沟槽结构,可以在下蜡取片过程中消除真空态的影响,减小破片概率。
下面结合附图和优选实施例对本实用新型的具体实施方式进行详细说明。
实施例1
请参看附图2和3,一种晶片固定盘10,具有一上表面20,其上设置有固片区24,用以盛放晶片40,在固片区上设置沟槽结构23,防止后续石蜡30融化后固定盘10与晶片40间形成真空状态;此外固定盘上表面20还依次标有固定晶片40的位置标号22及标识该盘的盘号21。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造