[实用新型]高表面适应型太阳能电池光伏焊带有效
申请号: | 201420552654.0 | 申请日: | 2014-09-25 |
公开(公告)号: | CN204189811U | 公开(公告)日: | 2015-03-04 |
发明(设计)人: | 罗小亭 | 申请(专利权)人: | 罗小亭 |
主分类号: | H01L31/05 | 分类号: | H01L31/05 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 523511 广东省*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 表面 适应 太阳能电池 光伏焊带 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种太阳能电池用的焊接装置,更确切地说是涉及一种高表面适应型太阳能电池光伏焊带方面的发明。
背景技术
光伏焊带是用在光伏组件上的焊接装置,主要起到连接导电的作用。焊带装置的关键技术参数包括可焊性、抗拉强度、延伸率、电阻率。目前常用的焊带装置是在一种高延伸率、高拉伸强度、高导电的铜带表面,通过热涂锡的方法制备而成。由于电池板表面存在细微的凹凸不平,焊带焊接的过程中会出现焊锡难以填充完全的情况,导致虚焊,另外,目前焊带的上下两个表面的焊锡层是一样厚的,因此会导致焊锡的浪费。
由此可见,上述现有的焊带装置仍存在有诸多的缺陷,而亟待加以改进。
有鉴于上述现有的焊带装置存在的缺陷,本设计人基于从事此类产品设计制造多年,积有丰富的实务经验及专业知识,积极加以研究创新,以期创设一种改进成型结构的高表面适应型太阳能电池光伏焊带,能够改进一般市面上现有常规焊带装置的成型结构,使其更具有竞争性。经过不断的研究、设计,并经反复试作样品及改进后,终于创设出确具实用价值的本实用新型。
发明内容
本实用新型所要解决的主要技术问题在于,克服现有的焊带装置存在的缺陷,而提供一种高表面适应型太阳能电池光伏焊带。
本实用新型解决其主要技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本实用新型提出的高表面适应型太阳能电池光伏焊带,包括纵向延伸的带体,带体包括铜带和涂锡层,铜带横截面的长边对应两个面,一个面是向阳面,一个面是焊接面,向阳面的表面附着涂锡层,焊接面的表面附着涂锡层,铜带的焊接面有凹陷压痕,向阳面的表面附着的涂锡层的厚度为5微米到10微米,焊接面的表面附着的涂锡层的厚度为20微米到50微米,铜带的焊接面的凹陷压痕的深度为5微米到10微米,铜带的焊接面的凹陷压痕呈T字形,铜带的焊接面的凹陷压痕的T字形的竖线和带体长轴方向呈45°角。
本实用新型与现有技术相比具有明显的优点和有益效果。由以上技术方案可知,本实用新型由于采用上述技术方案带来多重优势,首先,向阳面的表面附着的涂锡层的厚度小于焊接面的表面附着的涂锡层的厚度,这样可以降低焊锡的使用量,同时可以增加铜带的厚度,提高导电性能,降低传导电阻;其次,铜带的焊接面有凹陷压痕,凹陷压痕部位填充焊锡后,可以在不平整的焊接表面提供额外的焊锡填充,可以提高焊接的可靠性。
上述说明仅为本实用新型技术方案特征部份的概述,为使专业技术人员能够更清楚了解本实用新型的技术手段,并可依照说明书的内容予以实施,以下以本实用新型的较佳实施例并配合附图详细说明如后。
本实用新型的具体实施方式由以下实施例及其附图详细给出。
附图说明
图1是本实用新型的横截面结构示意图。
图2是本实用新型的实施例的焊接面的凹陷压痕呈T字形的示意图。
图中标记说明,1、铜带;2、向阳面的表面附着的涂锡层;3、焊接面的表面附着的涂锡层;4、焊接面的凹陷压痕。
具体实施方式
以下结合附图及较佳实施例,对依据本实用新型提出的其具体实施方式、结构、特征及其功效,详细说明如后。
请参阅图1到图2所示,本实用新型的高表面适应型太阳能电池光伏焊带,包括纵向延伸的带体,带体包括铜带1和涂锡层,铜带1横截面的长边对应两个面,一个面是向阳面,一个面是焊接面,向阳面的表面附着涂锡层,焊接面的表面附着涂锡层,铜带的焊接面有凹陷压痕,向阳面的表面附着的涂锡层2的厚度为5微米到10微米,焊接面的表面附着的涂锡层3的厚度为20微米到50微米,铜带的焊接面的凹陷压痕4的深度为5微米到10微米,铜带的焊接面的凹陷压痕4呈T字形,铜带的焊接面的凹陷压痕4的T字形的竖线和带体长轴方向呈45°角。
以上,仅是本实用新型的较佳实施例而已,并非对本实用新型作任何形式上的限制,凡是依据本实用新型的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本实用新型技术方案的范围内。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的