[实用新型]一种半导体激光器与红外LED混合补光装置有效

专利信息
申请号: 201420532690.0 申请日: 2014-09-09
公开(公告)号: CN204166260U 公开(公告)日: 2015-02-18
发明(设计)人: 马崇彩;史国柱;李明;李树强;徐现刚 申请(专利权)人: 山东浪潮华光光电子股份有限公司
主分类号: G03B15/02 分类号: G03B15/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 261061 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 一种 半导体激光器 红外 led 混合 装置
【说明书】:

技术领域

本实用新型涉及一种半导体激光器与红外LED混合补光装置,属于视频监控安防技术领域。

背景技术

随着安防监控的发展,目前很多安防监控产品都带有补光装置,这使得高清摄像机不仅能在白天工作,还能在夜晚得到较为理想的监控画面。

目前市场上多数补光灯采用LED光源,成本较低,照明角度大,监控画面质量较好,但照明距离近,配合市场上主流的高清摄像机时,往往在夜间不能有效发挥高清摄像机的成像质量和距离优势,造成资源浪费。为解决这些问题,市场上逐步出现单一用激光作为光源的补光灯,具有照明距离远的优点,但是又不能同时实现大角度照明。

中国专利CN201903737U公开了一种LED补光灯,该装置采用LED作为补光灯光源,照明角度大,但照明距离近。中国专利CN103472659A公开了一种变焦式激光红外灯,该装置采用红外激光作为单一光源,亮度高,照射距离远,但照射角度小。

中国专利CN102830571A公开了一种用于线阵相机补偿光源的激光灯,一种线阵相机补偿光源,具体是由多个半导体激光器组成的激光灯。由半导体激光器和对应光线的柱透镜组成照明光路,激光器和供电恒流源安装在壳内支座上,每个激光器上部加有使光束改变方向的光学系统,激光器上方柱透镜镶嵌在壳体内,柱透镜顶端为发光窗口,外壳有散热片。多点发光,避免在被照物体上形成阴影。利用多个低功率激光器可降低对环境的要求,可适用的温度范围宽,并有较长使用寿命,少数激光器的故障不会影响整体补偿光源的工作,增加光源的可靠性。该激光灯可作为对铁路列车进行安检的高速工业线阵扫描相机的补偿光源。该专利中只采用了半导体激光器,同时激光器光斑成线条状,只针对特殊应用设计。

中国专利CN201533375U公开了一种带激光和红外LED照明灯的高速球,包括红外LED、半导体激光器、控制电路、电源。红外LED和半导体激光器并列安装在高速球摄像机旁边,所述红外LED和所述半导体激光器连接到控制电路上,所述控制电路连接到电源上。所述控制电路可根据需要,使红外LED和半导体激光器分别单独工作或同时工作,红外LED和半导体激光器的功率可调,达到不同的监控效果,该专利是关于高速球的整机设备专利,通过变焦摄像机焦距的变化过程中实现LED与激光器的分别控制,然而,该专利的红外LED和半导体激光器的光未经匀化,会导致补光不完整,从而最终导致监控画面不清晰,甚至不能实现大范围的辅助照明,满足不了高清晰度安防监控视频画面的需求,另外该专利近距离或远距离监控时不能实现半导体激光器与红外LED功率的适应性配合。

实用新型内容

针对现有技术不足,本实用新型提供一种半导体激光器与红外LED混合补光装置,兼顾远近距离和大小角度,解决了半导体激光器和红外LED的光束不均匀,会导致补光不完整,从而最终导致监控画面不清晰的问题。通过本实用新型所述补光装置可实现大范围的清晰照明,以满足高清晰度安防监控视频画面的需求;并且可实现近距离或远距离监控的同时,半导体激光器与红外LED功率的适应性配合,即监控远距离时,自动加大半导体激光器功率,减小红外LED的功率。

术语解释:

LED:Light Emitting Diode,对应的中文名称为发光二极管或发射二极管。

本实用新型技术方案如下:

一种半导体激光器与红外LED混合补光装置,包括半导体激光器、红外LED、补光装置外壳、光敏电阻和窗口玻璃;所述半导体激光器、红外LED、光敏电阻和窗口玻璃安装在补光装置外壳内部,所述窗口玻璃平行设置在补光装置外壳内侧。

本实用新型所述的一种半导体激光器与红外LED混合补光装置,通过驱动电路来控制补光装置工作,每支半导体激光器和每颗红外LED发出的光,都经过窗口玻璃进行光束匀化,使补光装置发出的光强度均匀分布,分别可以对近距离和远距离的摄像机进行补光。所述半导体激光器与红外LED同时工作,红外LED发散角度大、照明距离近,适于对短焦距摄像机(4-8mm焦距)进行补光,半导体激光器发散角度小、照明距离远,适用于对长焦距摄像机(12-25mm焦距)进行补光。所述半导体激光器和红外LED的数量可根据设计不同补光距离进行调整。

根据本实用新型优选的,所述半导体激光器采用800-1000nm近红外半导体激光器;

根据本实用新型优选的,所述红外LED采用850nm近红外LED;

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