[实用新型]阵列基板结构及接触结构

权利要求书

1.一种接触结构，其特征在于，该接触结构包括:

基板；

主动层，位于该基板上；

绝缘层，位于该主动层上；

层间介电层，位于该绝缘层上；

接触开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及

导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。

2.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，该接触结构还包括有缓冲层，位于该基板与该主动层之间，其中该接触开口还穿透该主动层与该缓冲层的一部，以更露出该主动层、该缓冲层与该基板的一部，其中该接触开口还包括第二凹口部，而该第二凹口部由该主动层的一底面、该缓冲层的一侧壁以及该基板的一顶面所定义而成，而该导电层亦顺应地设置于为该接触开口所露出的该缓冲层与该基板之上。

3.如权利要求2所述的接触结构，其特征在于，该绝缘层的该侧壁相距该接触开口所露出的该主动层的一侧壁一第一距离，而该缓冲层的该侧壁相距该接触开口所露出的该主动层的该侧壁一第二距离，而该第一距离大于该第二距离。

4.如权利要求3所述的接触结构，其特征在于，该第一距离介于0.05～0.5微米，及该第二距离介于0.01～0.5微米。

5.如权利要求1所述的接触结构，其特征在于，该主动层包括半导体材料。

6.一种接触结构，其特征在于，该接触结构包括:

基板；

绝缘层，位于该基板上；

主动层，位于该绝缘层的一部上；

第一层间介电层，位于该主动层上；

第二层间介电层，位于该第一层间介电层与该绝缘层上；

接触开口，穿透该第二层间介电层与该第一层间介电层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括第一凹口部，而该第一凹口部由该第二层间介电层的一底面、该第一层间介电层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及

导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。

7.如权利要求6所述的接触结构，其特征在于，该接触结构还包括缓冲层，位于该基板与该绝缘层之间，其中该接触开口还穿透该主动层、该绝缘层与该缓冲层的一部，以露出该主动层、该绝缘层、该缓冲层与该基板的一部，其中该接触开口还包括第二凹口部，而该第二凹口部由该主动层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该缓冲层的一顶面所定义而成。

8.如权利要求7所述的接触结构，其特征在于，该第一层间介电层的该侧壁距为该接触开口所露出的该主动层的一侧壁一第一距离，而该绝缘层的该侧壁距为该接触开口所露出的该主动层的该侧壁一第二距离，且该第一距离大于该第二距离。

9.如权利要求8所述的接触结构，其特征在于，该第一距离介于0.05～0.5微米，及该第二距离介于0.01～0.5微米。

10.如权利要求6所述的接触结构，其特征在于，该主动层包括半导体材料。

11.一种阵列基板结构，其特征在于，该阵列基板结构包括:

基板；

主动层，位于该基板的一部上；

绝缘层，位于该主动层上；

第一导电层，位于该绝缘层上且位于该主动层的一部上；

层间介电层，设置于该第一导电层与该绝缘层上；

接触开口，穿透该层间介电层与该绝缘层的一部，露出该主动层的一部，其中该接触开口包括第一凹口部，而该第一凹口部由该层间介电层的一底面、该绝缘层的一侧壁以及该主动层的一顶面所定义而成；以及

第二导电层，填入该接触开口，并与该主动层电连接。

12.如权利要求11所述的阵列基板结构，其特征在于，该阵列基板结构还包括缓冲层，位于该基板与该主动层之间，其中该接触开口还穿透该主动层与该缓冲层的一部，以露出该主动层、该缓冲层与该基板的一部，其中该 接触开口还包括第二凹口部，而该第二凹口部由该主动层的一底面、该缓冲层的一侧壁以及该基板的一顶面所定义而成，而该导电层亦顺应地设置于为该接触开口所露出的该缓冲层与该基板之上。