[实用新型]自举电路、逆变器和空调器

说明书

技术领域

本实用新型涉及空调器技术领域，特别是涉及一种自举电路、逆变器和空调器。

背景技术

逆变电路的开关器件需要稳定的驱动电压，由于逆变电路的下桥臂的开关器件与低压电源共地，所以低压电源即可为其提供稳定的驱动电压，但上桥臂的开关器件没有与低压电源共地，无法直接由低压电源提供驱动电压，需要自举电路为上桥臂的开关器件提供稳定的驱动电压。

一般的自举电路的自举电压误差大且不稳定，这样可能使逆变器的上桥臂的IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管)等驱动开关和下桥臂的IGBT等驱动开关的性能不一致，导致逆变器的输出不平衡，从而影响逆变器的性能。

实用新型内容

鉴于现有技术的现状，本实用新型的目的在于提供一种自举电路、逆变器和空调器，该自举电路具有精确稳定的自举电压，提高了逆变器的不同桥臂上开关器件性能的一致性，提高了逆变器的性能。

为实现上述目的，本实用新型采用如下技术方案：

一种自举电路，包括第一二极管D1、三极管Q1、第一电阻R2、第一电容器C3和稳压二极管D3；

所述三极管Q1的基极连接所述稳压二极管D3的阴极，所述稳压二极管D3的阳极作为所述自举电路的电压参考端；所述三极管Q1的发射极作为所述自举电路的输出端，所述三极管Q1的发射极与所述稳压二极管的阳极之间串联所述第一电容器C3；

所述三极管Q1的集电极连接所述第一二极管D1的阴极，所述第一二极管D1的阳极连接至输入电源；所述第一电阻R2串联在所述三极管Q1的基极和所述三极管Q1的集电极之间。

在其中一个实施例中，还包括用于限流的第二电阻R1，所述第二电阻R1串联在所述第一二极管D1的阳极和所述输入电源之间。

在其中一个实施例中，还包括用于滤波的第二电容器C1和第三电容器C2，所述第二电容器C1的一端连接至所述三极管Q1的集电极，所述第二电容器C1的另一端连接至所述稳压二极管D3的阳极；

所述第三电容器C2并联在所述稳压二极管D3的两端。

在其中一个实施例中，还包括第二二极管D2，所述第二二极管D2的阳极连接所述三极管Q1的发射极，所述第二二极管D2的阴极连接所述三极管Q1的集电极。

在其中一个实施例中，所述三极管Q1为NPN型三极管。

本实用新型还涉及一种逆变器，包括逆变电路，还包括驱动电路和上述任一项所述的自举电路；

所述自举电路的电压参考端连接所述驱动电路的接地端和所述逆变电路，所述自举电路的输出端连接所述驱动电路的第一输入端，所述驱动电路的第二输入端用于输入PWM信号，所述驱动电路的输出端连接所述逆变电路。

在其中一个实施例中，所述逆变电路为单相半桥逆变电路、单相全桥逆变电路或三相桥式逆变电路。

在其中一个实施例中，所述逆变电路为单相全桥逆变电路，包括四个晶体管，分别为第一晶体管Z1、第二晶体管Z2、第三晶体管Z3和第四晶体管Z4；

所述第一晶体管Z1的集电极和所述第四晶体管Z4的集电极均连接至直流母线，所述第一晶体管Z1的发射极连接所述第二晶体管Z2的集电极，所述第四晶体管Z4的发射极连接所述第三晶体管Z3的集电极；所述第二晶体管Z2的发射极和所述第三晶体管Z3的发射极均接地；

所述驱动电路的数量为两个，分别为第一驱动电路和第二驱动电路；所述第一晶体管Z1的基极连接至所述第一驱动电路的输出端、所述第四晶体管Z4的基极连接至所述第二驱动电路的输出端。

在其中一个实施例中，所述自举电路的数量为两个，分别为第一自举电路和第二自举电路；所述第一自举电路与所述第一驱动电路对应连接，所述第二自举电路与所述第二驱动电路对应连接；

所述第一自举电路的电压参考端连接至所述第一晶体管Z1的发射极和所述第二晶体管Z2的集电极的相应公共端；

所述第二自举电路的电压参考端连接至所述第四晶体管Z4的发射极和所述第三晶体管Z3的集电极的相应公共端。

在其中一个实施例中，所述第一晶体管Z1、所述第二晶体管Z2、所述第三晶体管Z3和所述第四晶体管Z4均为NPN型三极管或IGBT晶体管。

本实用新型还涉及一种空调器，包括上述任一项所述的自举电路或者上述任一项所述的逆变器。

本实用新型的有益效果是：