[实用新型]照相机模块有效
申请号: | 201420356998.4 | 申请日: | 2014-06-27 |
公开(公告)号: | CN204243041U | 公开(公告)日: | 2015-04-01 |
发明(设计)人: | 栾竟恩 | 申请(专利权)人: | 意法半导体研发(深圳)有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 照相机 模块 | ||
技术领域
本实用新型的实施方式涉及一种照相机模块,并且更具体地,涉及一种包括用于光学传感器器件的晶片级封装的照相机模块。
背景技术
关于将光学传感器耦合至照相机电路,设计师面对的挑战是,器件必须定位于衬底上且光学传感器面向外,而且不存在可能干扰光学图像的接收的任何障碍物。由于照相机模块更通常地使用在小电子设备(诸如手机和平板计算机)中,所以希望降低照相机模块的高度使得它们能够安装于更薄的设备中。
图1示出了具有半导体裸片22的已知的照相机模块,光学传感器电路26形成于半导体裸片22的顶表面上。半导体裸片22装配至半导体衬底24上,并且焊线40将传感器电路26耦合至半导体衬底24中的电路。透镜组件包括透镜镜筒80、透镜载体90和包括一个或多个透镜的透镜阵列100。透镜组件可以通过粘接剂801耦合至半导体衬底24的顶表面上。此外,表面装配器件50也装配在半导体衬底24的顶表面上。
可以看出,图1的照相机模块的示例存在如下问题,因为半导体裸片22设置在半导体衬底24上,并且通过焊线40将传感器电路26电耦合至半导体衬底24中的电路,使得它在用于小电子设备中时不太令人满意,因为叠置的半导体裸片22和半导体衬底24限制了此类设备的最小厚度。
实用新型内容
鉴于上述现有技术存在的缺陷,本实用新型的实施方式的目的之一是提供一种具有减小的厚度的照相机模块。
根据本实用新型的一个方面,提供了一种照相机模块,包括:
传感器组件,所述传感器组件包括:
半导体裸片;
传感器电路,设置于所述半导体裸片的顶表面上;以及
透明盖体,在所述半导体裸片的顶表面上面耦合到所述半导体裸片;
至少一个半导体衬底,每个所述半导体衬底在水平方向上布置于所述传感器组件周围;以及
模制化合物,填充在每个所述半导体衬底与所述传感器组件之间。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述半导体裸片包括电耦合到所述传感器电路的至少一个硅通孔,每个所述硅通孔分别经由焊线从每个所述半导体衬底的底表面电耦合到对应的半导体衬底中的电路;并且所述模制化合物还至少覆盖所述半导体裸片的底表面以及每个所述焊线。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,还包括至少一个表面装配器件,每个所述表面装配器件从每个所述半导体衬底的顶表面电耦合到对应的半导体衬底中的电路。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述透明盖体与所述半导体裸片在水平方向上对准。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,每个所述半导体衬底的顶表面分别与所述透明盖体的顶表面齐平。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,每个所述半导体衬底的底表面分别与所述半导体裸片的底表面齐平。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述模制化合物的顶表面与所述透明盖体的顶表面齐平。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,还包括透镜组件,所述透镜组件耦合到所述至少一个半导体衬底的顶表面。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述半导体衬底的数目为两个,两个所述半导体衬底在水平方向上分别设置于所述传感器组件的相对侧上。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述半导体衬底的数目为一个,其横截面形状为“回”形,所述传感器组件位于所述“回”形半导体衬底内。
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述传感器组件位于所述“回”形半导体衬底内的中心处
根据本实用新型的一个示例性实施方式,所述透明盖体为具有IR涂层或者UV涂层的玻璃。
通过将传感器组件与半导体衬底在水平方向上并排设置,使得能够减小包括半导体衬底和传感器组件的结构在竖直方向上的尺寸,并且因而进一步能够减小照相机模块在竖直方向上的尺寸。
附图说明
现在将仅参照附图通过示例对本实用新型的实施方式进行描述,其中为相似的部件提供对应的附图标记,在附图中:
图1是示出根据现有技术的照相机模块的截面图;
图2是示出根据本实用新型的一个实施方式的包括传感器组件、半导体衬底以及模制化合物的配置的截面图;
图3至图7示出制作图2中所示配置的相应阶段的截面图;
图8是示出包括图2中所示配置的照相机模块的截面图;
图9是示出制作根据本实用新型的一个实施方式的照相机模块的工艺流程图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的