[实用新型]一种太阳能硅片清洗设备

说明书

技术领域

本实用新型属于半导体领域，具体涉及一种太阳能硅片清洗设备。

背景技术

清洗作为制备太阳能用硅片的关键步骤，对硅片质量，包括表面外观、表面金属离子浓度等乃至后续的制绒工艺都有至关重要的影响。硅片表面沾污主要是有机物沾污，颗粒沾污以及金属离子沾污，如Cu，Fe，Na等。Fe的扩散系数比较大，很容易从硅片表面扩散到内部形成深能级复合中心，从而影响非平衡少子寿命进而降低光电转换效率。

硅片表面的污染物来源主要有:加工器械带来的污染，加工液的污染、环境污染、操作人员带来的污染以及加工过程中硅片表面发生化学反应产生的污染等。

目前，太阳能级单晶硅片的清洗是在切片后将脱胶后的硅片，首先通过纯水超声波清洗，然后在纯水和清洗剂一定比例下进行超声波清洗，之后再经过多次纯水超声波漂洗即完成清洗。这种清洗方法要求清洗设备需要至少有9个槽，否则清洗不彻底，导致太阳能单晶硅片表面的化学物、金属杂质、清洗剂残留，会使单晶硅片制绒后表面出现发白，产生色差现象，降低电池片的转换效率，甚至达不到电池片的技术要求，影响产品的质量和成品率。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种太阳能硅片清洗设备，将硅片清洗工艺的改进优化与设备改造相结合，使槽体较少的多晶硅片清洗机可以清洗(要求高，槽体多)单晶硅片，达到硅片表面质量干净，纯水消耗降低，生产成本降低，而最终实现生产效益提高的目的。

为达到上述目的，本实用新型的技术方案如下：

一种太阳能硅片清洗设备，包括：

一预清洗槽，

一与预清洗槽依次相邻的第一碱槽、第二碱槽，碱清洗槽，以及第一漂洗槽、第二漂洗槽、第三漂洗槽和纯水槽，

所述纯水槽，第三漂洗槽以及第二漂洗槽三者之间形成溢流效应，所述纯水槽内的液体从上部溢流至第三漂洗槽，再从第三漂洗槽上部溢流至第二漂洗槽，

还包括一自来水管道，所述自来水管道分别连接预洗槽和碱清洗槽的槽体中部位置，

一纯水管道，所述纯水管道连接第一碱槽、第二碱槽，第一漂洗槽、第三漂洗槽和纯水槽，

一排水管道，所述排水管道与上述各个槽体的底部连接。

在本实用新型的一个优选实施例中，所述预清洗槽分成相邻设置的鼓泡和超声波清洗两个工位。

在本实用新型的一个优选实施例中，还包括一辅槽和一与辅槽连接的循环水管道，所述循环水管道将所述第一漂洗槽和第二漂洗槽相互连通，所述辅槽将第二漂洗槽的液体抽入第一漂洗槽中。

通过上述技术方案，本实用新型的有益效果是：

1、设计合理投入成本低且实现方便。

2、预清洗槽增加的两个工位，提高了硅片的预清洗能力，从而提升硅片清洗质量。

3、增加的纯水溢流管道和自来水管道，增加了漂洗槽的个数，保证了硅片的漂洗能力，并且有效的减少了纯水的使用量，降低成本。

附图说明

为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1为本实用新型的结构示意图。

图示各个标号如下：

1#预洗槽、2#第一碱槽、3#第二碱槽、4#碱漂洗槽、5#第一漂洗槽、6#第二漂洗槽、7#第三漂洗槽、8#纯水槽，9#辅槽，Ⅰ自来水管道，Ⅱ纯水管道，Ⅲ排水管道，Ⅳ循环水管道。

具体实施方式

为了使本实用新型实现的技术手段、创作特征、达成目的与功效易于明白了解，下面结合具体图示，进一步阐述本实用新型。

参照图1，阳能单晶电池硅片清洗设备，包括：1#预洗槽、2#第一碱槽、3#第二碱槽、4#碱漂洗槽、5#第一漂洗槽、6#第二漂洗槽、7#第三漂洗槽、8#纯水槽，Ⅰ自来水管道，Ⅱ纯水管道，Ⅲ排水管道，Ⅳ循环水管道。

具体安装如下，包括一1#预清洗槽，一与1#预清洗槽依次相邻的2#第一碱槽、3#第二碱槽，4#碱清洗槽，以及5#第一漂洗槽、6#第二漂洗槽、7#第三漂洗槽和8#纯水槽，