[实用新型]抗应力图像传感器件有效
申请号: | 201420256712.5 | 申请日: | 2014-05-20 |
公开(公告)号: | CN203871330U | 公开(公告)日: | 2014-10-08 |
发明(设计)人: | 赖芳奇;吕军;张志良;陈胜 | 申请(专利权)人: | 苏州科阳光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;王健 |
地址: | 215143 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 应力 图像传感器 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种抗应力图像传感器件,属于半导体封装技术领域。
背景技术
晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片,由于其形状为圆形,故称为晶圆;在硅晶片上可加工制作成各种电路元件结构,而成为有特定电性功能之IC 产品。现有晶圆级芯片封装结构主要存在以下技术问题:
(1)现有的在晶圆上的盲孔内填充的金属良率有一定的局限性,应力大,可靠性水平低,暴露环境中,极易被氧化腐蚀,导致产品失效,化学性质稳定差,且随着晶圆级封装通孔硅互连技术朝高深宽比的方向发展,法满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求,其次,危害,对环境有污染。所以需要找到一种对环境友好,功能上可以与镀金层媲美的金属镀层来替代镀金;
(2)现有封装结构中围堰边缘与感应芯片感光区都需要保留一定的距离,防止在玻璃滚胶、压合的过程中,胶体溢到感应芯片感光区,影响成像品质。由于溢胶的限制,围堰的宽度纯在比较大的局限性,直接影响到CIS产品的可靠性,容易出现分层的问题。
发明内容
本实用新型目的是提供一种抗应力图像传感器件,该抗应力图像传感器件有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变,防止产品在恶劣环境下失效,不易被氧化腐蚀,能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求。
为达到上述目的,本实用新型采用的技术方案是:一种抗应力图像传感器件,包括图像传感芯片、透明盖板,此图像传感芯片的上表面具有感光区,所述透明盖板边缘和图像传感芯片的上表面边缘之间具有支撑围堰从而在透明盖板和图像传感芯片之间形成空腔,此支撑围堰与图像传感芯片之间通过胶水层粘合,图像传感芯片下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔,所述图像传感芯片下表面和盲孔侧表面具有钝化层,此盲孔底部具有图像传感芯片的引脚焊盘,所述钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的具有金属导电图形层,一防焊层位于金属导电图形层与钝化层相背的表面,此防焊层上开有若干个通孔,一焊球通过所述通孔与金属导电图形层电连接,所述金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成,所述钛层与钝化层接触。
上述技术方案中进一步改进的方案如下:
上述方案中,所述盲孔中心处具有防焊柱。
由于上述技术方案运用,本实用新型与现有技术相比具有下列优点和效果:
本实用新型抗应力图像传感器件,其钝化层与图像传感芯片相背的表面和盲孔内具有与引脚焊盘电连接的金属导电图形层,此金属导电图形层由钛层、铜层、镍层和钯层依次叠放组成,所述钛层与钝化层接触,缓解了应力,可靠性高,暴露环境中,不易被氧化腐蚀,化学性质稳定好,且能满足高深宽比的深孔内金属层连续覆盖孔内壁的要求;其次,盲孔中心处具有防焊柱有效缓冲盲孔两侧金属在冷热环境下所发生的应力形变,防止产品在恶劣环境下失效。
附图说明
附图1为本实用新型抗应力图像传感器件结构示意图;
附图2为本实用新型抗应力图像传感器件中局部结构示意图。
以上附图中:1、图像传感芯片;2、透明盖板;3、感光区;4、支撑围堰;5、胶水层;6、盲孔;7、钝化层;8、引脚焊盘;9、金属导电图形层;10、防焊层;11、通孔;12、焊球;13、空腔;14、钛层;15、铜层;16、镍层;17、钯层;18、防焊柱。
具体实施方式
下面结合实施例对本实用新型作进一步描述:
实施例:一种抗应力图像传感器件,包括图像传感芯片1、透明盖板2,此图像传感芯片1的上表面具有感光区3,所述透明盖板2边缘和图像传感芯片1的上表面边缘之间具有支撑围堰4从而在透明盖板2和图像传感芯片1之间形成空腔13,此支撑围堰4与图像传感芯片1之间通过胶水层5粘合,图像传感芯片1下表面的四周边缘区域分布有若干个盲孔6,所述图像传感芯片1下表面和盲孔6侧表面具有钝化层7,此盲孔6底部具有图像传感芯片1的引脚焊盘8,所述钝化层7与图像传感芯片1相背的表面和盲孔6内具有与引脚焊盘8电连接的具有金属导电图形层9,一防焊层10位于金属导电图形层9与钝化层7相背的表面,此防焊层10上开有若干个通孔11,一焊球12通过所述通孔11与金属导电图形层9电连接,所述金属导电图形层9由钛层14、铜层15、镍层16和钯层17依次叠放组成,所述钛层17与钝化层7接触。
上述盲孔6中心处具有防焊柱18。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的