[实用新型]一种使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈

权利要求书

1.一种使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，包括高频线圈(2)和连接座(8)，其特征是：在高频线圈(2)的上部面中部设有向下的环形台阶(3)，在高频线圈(2)的下部面中部设有向上凹陷面(11)，在高频线圈(2)的外部环绕设置冷却介质通路(12)，所述冷却介质通路(12)的两端分别连接连接座(8)，在两连接座(8)之间的高频线圈(2)上设有自高频线圈(2)外缘贯通至拉制孔(5)的开口(6)，所述拉制孔(5)设置在高频线圈(2)的中部，在拉制孔(5)向外呈放射状设有至少两个导流槽(4)，在所述导流槽(4)与导流槽(4)之间的高频线圈(2)上设有分流槽(10)形成所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈。

2.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述导流槽(4)与开口(6)之间设有分流槽(10)，所述分流槽(10)的一端或两端设有端孔(14)。

3.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述开口(6)设置为直开口或“U”形开口或“V”形开口或“》”形开口或斜开口。

4.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述导流槽(4)的外端头分别设有端孔(14)。

5.如权利要求2或4任一权利要求所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述端孔(14)的形状为半圆形或圆形或多角形。

6.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述冷却介质通路(12)的两端分别形成进水管路(7)和出水管路(9)，所述进水管路(7)和出水管路(9)的通孔穿过连接座(8)，在所述连接 座(8)的进水管路(7)和出水管路(9)的通孔上下两侧分别设有安装孔(13)。

7.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述连接座(8)为多角形连接座(8)或双半圆形连接座(8)或椭圆形连接座(8)。

8.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述在高频线圈(2)外部环绕设置的冷却介质通路(12)的结构为：在高频线圈(2)的外部上环面或外部下环面或外缘面开槽，将所述冷却介质通路(12)环埋在高频线圈(2)内；或在高频线圈(2)的外缘面通过钎焊或铜焊或银焊焊接冷却介质通路(12)，使冷却介质通路(12)与高频线圈(2)形成一体。

9.如权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述冷却介质通路(12)的另一替换结构为，在高频线圈(2)的外缘面开槽，然后直接利用管道封闭所述槽，由所述槽形成冷却介质通路(12)。

10.权利要求1所述的使用区熔法拉制单晶硅棒的高频线圈，其特征是：所述高频线圈(2)的外部设有地线连接机构，所述地线连接机构为在高频线圈(2)的外部上环面或下环面或外缘面设有接线板(1)，或在高频线圈(2)的外部上环面或下环面或外缘打孔通过螺丝连接地线形成地线连接机构。