[实用新型]红外线传感器有效
| 申请号： | 201420227520.1 | 申请日： | 2014-05-06 |
| 公开（公告）号： | CN203910826U | 公开（公告）日： | 2014-10-29 |
| 发明（设计）人： | 冯海涛;施光典 | 申请（专利权）人： | 深圳莱特光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/09 | 分类号： | H01L31/09;H01L31/0203;G01J1/02 |
| 代理公司： | 北京中济纬天专利代理有限公司 11429 | 代理人： | 张晓霞 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外线 传感器 | ||
【权利要求书】：
1.一种红外线传感器，包括透镜和位于透镜下方的PIN二极管，PIN二极管位于金属的外壳内，且设于铝基板上，外壳的上表壳上设有窗口，透镜设在上表壳的窗口上，PIN二极管与FET管电性连接；其特征在于：所述上表壳上设有热释电陶瓷，在热释电陶瓷上覆盖有光学滤光片；所述上表壳上设有孔，一导线柱穿过所述孔，将热释电陶瓷的电极与所述铝基板电性连接在一起，且与FET管电性连接。
2.根据权利要求1所述的红外线传感器，其特征在于：在所述热释电陶瓷和所述光学滤光片的外侧边缘设有硅胶圈。
3.根据权利要求1所述的红外线传感器，其特征在于：所述外壳包括腔体，腔体内填充有封装胶。
4.根据权利要求1所述的红外线传感器，其特征在于：所述透镜的下端边缘置于所述上表壳上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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