[实用新型]具有吸光层的感光层结构

说明书

技术领域

本实用新型是关于一种用于光刻工艺的感光层结构，且特别是关于一种具有吸光层的感光层结构与使用该感光层结构的光刻工艺。

背景技术

光刻工艺(Photol血ography)在光电半导体与集成电路工艺中是非常重要的工序，各层薄膜上的图案(Pattern)或杂质(Dopants)区域都是由光刻工艺所决定，而光刻工艺也影响了硅芯片上的线宽。因此，能否制作出精密细小的组件，光刻工艺是个关键的步骤。

但是习知的光刻工艺是有缺陷的，请参照图1A及图1B，图1A及图1B所绘示为习知的光刻工艺的流程示意图。在光刻工艺中，会先将电路结构制作在一光刻版12上，并在金属层10上涂布一光刻胶11，之后再用光线穿过光刻版12来照射光刻胶11，进行曝光(Exposure)步骤。光刻胶11被光线照射的部份会产生化学变化，再进行显像(Development)将产生化学变化的光刻胶11去除，剩下的光刻胶11就会呈现与光刻版12上相同的图案。接下来，进行蚀刻工艺，对金属层10进行蚀刻，未被光刻胶11覆盖的金属层10便会被移除，这样就可以在金属层10上制成与光刻版12上相同的电路图案。

然而，在曝光步骤中所使用的光线，并无法完全垂直地照射在金属层10上，又光线穿过光刻版12上的图案时，会产生绕射等光学现象，因此最后有部分光线会照射在不欲曝光的部分光刻胶11上(图1A的虚线14)。又或着，若金属层10为一反光材质，光线照射时就会被金属层10的表面所反射，反射的光线会照射到原本被光刻版12遮蔽的部份光刻胶11。这样一来，请参照图1B，当进行显像步骤时，产生的结果会与理想值(图1B的虚线15)有落差，就没有办法精确的控制线路的粗细。而现今电子组件都朝向细小精密发展，若无法控制光刻的精度，就很难制造更细小精密的电子组件。换言之，习知的光刻工艺欲达到更细小精密组件变成更加困难，工艺窗口宽容度变的更为窄小，进而阻碍产品良率的提升。

因此，要如何解决习知于光刻工艺中曝光精度不佳的问题，并能够顺利制造细小精密的组件，便是值得本领域技术人员去思量的。

发明内容

为了解决上述的问题，本实用新型的目的在于解决习知光刻工艺精度的控制问题，有效提升光刻工艺的精度与宽容度。

基于上述目的与其他目的，本实用新型提供一种感光层结构，包括一光刻胶层及至少一吸光层，吸光层涂布在光刻胶层的顶部与底面的至少其中之一，吸光层能够吸收部份特定波长的光线。

在上述的感光层结构，其中光刻胶层为干膜光刻胶或湿膜光刻胶。

在上述的感光层结构，其中吸光层是涂布在光刻胶层的顶部与底面。

在上述的感光层结构，还包括一保护离形膜，保护离形膜贴附在感光层结构的最顶部。

为让本实用新型的上述目的、特征和优点更能明显易懂，下文将以实施例并配合所附图式，作详细说明如下。需注意的是，所附图式中的各组件仅是示意，并未按照各组件的实际比例进行绘示。

附图说明

图1A及图1B所绘示为习知的光刻工艺的流程示意图。

图2A所绘示为本实施例的感光层结构21的示意图。

图2B所绘示为感光层结构21涂布于金属层10上的示意图。

图2C所绘示为感光层结构21曝光的示意图。

图2D所绘示为感光层结构21经过显像的后的示意图。

图3A所绘示为另一实施例的感光层结构31的示意图。

图3B所绘示为感光层结构31曝光的示意图。

图4所绘示为具有吸光层的感光层结构与无吸光层的感光层结构的

实验曲线图。

图5A至图5E所绘示为使用本实用新型的感光层结构的光刻工艺方法。

图6所绘示为又一实施例的感光层结构。

具体实施方式