[实用新型]加热电极以及相变存储结构有效
| 申请号： | 201420182126.0 | 申请日： | 2014-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN203871380U | 公开（公告）日： | 2014-10-08 |
| 发明（设计）人： | 程国胜;卫芬芬;孔涛;张杰;黄荣 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 电极 以及 相变 存储 结构 | ||
【权利要求书】：
1.一种相变存储结构的加热电极，其特征在于：所述加热电极包括上加热电极以及与所述上加热电极连接的下加热电极，所述上加热电极的截面积小于所述下加热电极的截面积。
2.根据权利要求1所述的相变存储结构的加热电极，其特征在于：所述上加热电极的材质选自钨、氮化钛/钨双层膜中的一种。
3.根据权利要求1所述的相变存储结构的加热电极，其特征在于：所述下加热电极为导电薄膜，所述导电薄膜的材质选自TiN、TiSiN或TiON。
4.一种相变存储结构，包括相变材料层、上电极、下电极和加热电极，其特征在于：所述加热电极包括下加热电极以及连接在所述相变材料层和下加热电极之间的上加热电极，所述上加热电极的截面积小于所述下加热电极的截面积。
5.根据权利要求4所述的相变存储结构，其特征在于：所述上加热电极的材质选自钨、氮化钛/钨双层膜中的一种。
6.根据权利要求4所述的相变存储结构，其特征在于：所述下加热电极为导电薄膜，所述导电薄膜的材质选自TiN、TiSiN或TiON。
7.根据权利要求4所述的相变存储结构，其特征在于：所述上加热电极为圆柱体形状，其高度为50~200nm，直径为5~100nm。
8.根据权利要求4所述的相变存储结构，其特征在于：所述导电薄膜层的厚度为10~50nm。
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