[实用新型]一种新型真空吸笔有效
申请号: | 201420179655.5 | 申请日: | 2014-04-15 |
公开(公告)号: | CN203910775U | 公开(公告)日: | 2014-10-29 |
发明(设计)人: | 陈刚刚;谢余才;周卞宁;许莉;李昭 | 申请(专利权)人: | 宁夏银星能源股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;H01L31/18 |
代理公司: | 宁夏专利服务中心 64100 | 代理人: | 赵明辉 |
地址: | 750021 宁夏回族*** | 国省代码: | 宁夏;64 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 新型 真空 | ||
技术领域
本实用新型涉及一种新型真空吸笔。
背景技术
太阳能光伏电池是一种将太阳能转换为电能的半导体器件,其原理为光生伏打原理。在生产太阳能光伏电池的过程中,为了降低光线在硅片表面的反射,需要在晶硅表面利用PECVD技术沉积一层氮化硅减反射膜,以提高晶硅太阳能电池对光线的吸收从而达到提高太阳能电池的光电转换效率,同时沉积在硅片表面的氮化硅膜对晶硅太阳能电池也起到表面钝化和保护作用。因此,PECVD镀膜是晶硅太阳能电池片生产过程中极为重要的一道工序。
在晶硅太阳能电池片PECVD镀膜过程中,硅片是放在石墨舟当中放入PECVD管中进行镀膜。具体步骤为:1、用真空吸笔利用真空将硅片从花篮中抽出并插入石墨舟中;2、将装满硅片的石墨舟送入400℃高温PECVD管进行镀膜工艺;3、用真空吸笔将做完镀膜工艺的硅片从石墨舟中取出放入承载盒。
目前市场上主要有陶瓷材质和PP材质两种材质制成的真空吸笔。陶瓷材质的真空吸笔在真空吸取硅片过程中,极易由于真空压力形成的摩擦力过大造成硅片表面绒面结构破坏、氮化硅膜被破坏甚至崩点、崩边、隐裂和裂片,造成电池片外观、质量问题;而PP材质的真空吸笔存在不耐高 温、不耐磨,容易在短时间内变形,造成吸取硅片过程中产生崩边崩点等问题,吸笔损耗快等问题。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供一种新型真空吸笔,能够减少硅片上的吸笔印,保护硅片表面,并且增加真空吸笔的使用寿命。
一种新型真空吸笔,包括吸头,在该吸头上设有吸孔,其特别之处在于:在该吸头上的吸孔处覆盖有海绵双面胶,在该海绵双面胶上覆盖有高温布,并且在该吸孔处的海绵双面胶和高温布上均开有通孔,从而完全露出吸孔。
其中吸孔为圆形,而海绵双面胶和高温布上的通孔均为椭圆形。
其中海绵双面胶的厚度为1mm。
本实用新型的有益效果是:1、保护镀膜前硅片绒面完整,外观无损伤,无划痕和吸笔印;2、保护镀膜后硅片氮化硅膜完整致密,外观无损伤,无划痕和吸笔印;3、降低操作过程中的崩点、崩边、缺角及碎片率;4、无需更换真空吸笔,对石墨舟也有一定保护作用,节约生产成本;5、适用于各类尺寸的吸笔。
附图说明
附图1为本实用新型的结构示意图;
附图2为图1的俯视图。
具体实施方式
如图1、2所示,本实用新型是一种新型真空吸笔,包括吸头3,在该吸头3上设有吸孔4,在该吸头3上的吸孔4处覆盖有海绵双面胶2,在 该海绵双面胶2上覆盖有高温布1,并且在该吸孔4处的海绵双面胶2和高温布1上均开有通孔,从而完全露出吸孔4。
其中吸孔4为圆形,而海绵双面胶2和高温布1上的通孔均为椭圆形,另外海绵双面胶2的厚度为1mm。
本实用新型是按照吸笔大小在吸笔表面粘贴一层1mm厚的海绵双面胶2(海绵双面胶2大小尺寸根据要使用的真空吸笔的吸头3和吸孔4面积确定),例如根据吸孔4面积,然后在海绵双面胶2上开一Φ4×10mm腰型孔(椭圆形孔),腰型孔位于吸头3上吸孔4的正上方,海绵双面胶2在吸取硅片过程中起缓冲作用,防止裂片。然后在海绵双面胶2的另一面粘贴一张同样大小的高温布1,并在高温布1上开一Φ3×10mm腰型孔(高温布1大小尺寸同样根据要使用的真空吸笔的吸头3和吸孔4面积确定),腰型孔位于吸笔吸孔4正上方,高温布1在插入和吸取硅片过程中与海绵双面胶2同时起到保护硅片表面作用。
采用该设计能有效解决硅片表面绒面损伤、氮化硅减反射膜表面损伤问题,保证了太阳能电池片外观、电性能及寿命等核心参数正常,由于避免了吸笔与硅片、石墨舟直接接触,在使用一段时间后直接更换海绵双面胶2和高温布1即可,无需更换吸笔,节约生产升本。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造