[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

液晶显示屏主要由对向基板，阵列基板，以及位于该两基板之间的液晶层组成。一般地，在阵列基板一侧设置有栅线、数据线、薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）以及像素电极等图形；TFT具体包括：相互绝缘的栅极和有源层，以及与有源层分别电性连接的源极和漏极，其中，栅极与栅线电性连接，源极与数据线电性连接，漏极与像素电极电性连接。在彩膜基板一侧设置有黑矩阵和彩膜层等图形。

目前，在现有的阵列基板的制作过程中，一般先采用一次构图工艺在衬底基板101上形成栅极102和栅线103的图形，如图1a所示；然后在衬底基板101上形成一栅绝缘层；在栅绝缘层上与栅极102的图形对应的区域形成有源层104的图形，如图1b所示；接着形成刻蚀阻挡层105的图形，如图1c所示；采用一次构图工艺形成源极106、漏极107和数据线108的图形，如图1d所示；最后形成与漏极107电性连接的像素电极109的图形，如图1e所示。在形成像素电极109的图形后，一般还会形成绝缘层和公共电极110的图形，如图1f所示。

其中，在形成源极、漏极和数据线的图形后，一般采用光刻胶构图工艺形成像素电极的图形，即先在源极、漏极和数据线的图形上依次层叠形成氧化铟锡（Indium Tin Oxides，ITO）薄膜和光刻胶薄膜；然后对光刻胶薄膜进行曝光、显影处理；接着，利用刻蚀剂对未覆盖光刻胶的ITO薄膜进行刻蚀处理，其中进行刻蚀处理的区域包括覆盖在源极和数据线的图形上方的ITO薄膜；最后，剥离剩余的光刻胶得到像素电极的图形。

在具体实施时，一般采用诸如铜的金属制作源极、漏极和数据线的图形，这样，在对覆盖在源极和数据线的图形上方的ITO薄膜进行刻蚀处理时，刻蚀剂会直接接触到源极和数据线，对源极和数据线造成腐蚀；并且，在后续形成绝缘层时的高温环境还会加速该腐蚀过程，从而影响液晶显示屏的显示品质。

因此，如何避免源极和数据线被刻蚀剂腐蚀，是本领域技术人员亟需解决的技术问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板及显示装置，用以解决现有技术中存在的源极和数据线被刻蚀剂腐蚀的问题。

因此，本实用新型实施例提供了一种阵列基板，包括：衬底基板，位于所述衬底基板上同层设置的源极、漏极和数据线，以及在所述源极、漏极和数据线上设置的像素电极；还包括：连接部；

在所述源极、漏极和数据线的表面具有对所述源极、漏极和数据线经过退火处理后形成的氧化物薄膜；

所述连接部通过位于所述漏极上方且贯穿所述氧化物薄膜的第一过孔将所述漏极与所述像素电极电性连接。

本实用新型实施例提供的上述阵列基板，由于在同层设置的源极、漏极和数据线的表面具有对源极、漏极和数据线经过退火处理后形成的氧化物薄膜，这样，在源极、漏极和数据线上方采用构图工艺形成像素电极的图形的过程中，氧化物薄膜可以保护下方的源极和数据线在刻蚀形成像素电极的图形时不被刻蚀剂所腐蚀，可以避免影响显示面板的显示品质；并且，连接部通过位于漏极上方且贯穿氧化物薄膜的第一过孔将漏极与像素电极电性连接，从而可以保证显示面板的正常显示功能。

具体地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于高级超维场开关型液晶显示屏时，还包括：在所述像素电极上方依次层叠设置的钝化层和公共电极；

所述连接部与所述公共电极同层设置且相互绝缘，且所述第一过孔还贯穿所述钝化层；

所述像素电极与所述源极、漏极和数据线的图形互不重叠，所述连接部通过位于所述像素电极上方且贯穿所述钝化层的第二过孔与所述像素电极电性连接。

或者，具体地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板应用于高级超维场开关型液晶显示屏时，还包括：位于所述像素电极与所述源极、漏极和数据线所在膜层之间的公共电极，以及位于所述像素电极与所述公共电极之间的钝化层；所述公共电极和所述漏极的图形互不重叠；

所述连接部与所述像素电极同层设置，所述第一过孔还贯穿所述钝化层。

较佳地，为了减小源极、漏极和数据线的电阻，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，所述源极、漏极和数据线的材料为铜，所述氧化物薄膜的材料为氧化铜。

进一步地，在本实用新型实施例提供的上述阵列基板中，还包括：

位于所述源极和漏极下方且与所述源极和漏极电性连接的有源层；

与所述有源层相互绝缘且相对设置的栅极。