[实用新型]一种具有超结结构的半导体器件

权利要求书

1.一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，包括从下到上依次设置的N型掺杂半导体衬底（1）和N型掺杂外延层（2）；N型掺杂外延层（2）内部设有P型填充阱区（3），P型填充阱区（3）包括由内向外设置且结构相同的第一P型填充阱区（31）、第二P型填充阱区（32）和第三P型填充阱区（33）；第一P型填充阱区（31）的上侧设有第一P型掺杂区（41），第一P型掺杂区（41）中设有N型掺杂区（51），第二P型填充阱区（32）上侧设有第二P型掺杂区（42）；

所述的第一P型填充阱区（31）、第一P型掺杂区（41）、N型掺杂区（51）和对应的部分N型掺杂外延层（2）共同构成原胞源极区域C；所述的第二P型填充阱区（32）、第二P型掺杂区（42）、第三P型填充阱区（33）和对应的部分N型掺杂外延层（2）共同构成终端耐压结构区域T；上表面最外围设置有N型掺杂电极接触区（52）的终端耐压结构区域T布置在原胞源极区域C的外围；

原胞源极区域C和终端耐压结构区域T上方依次设有栅氧化层、介质层（7）和上金属层，部分栅氧化层上方介质层（7）内设置多晶硅；上金属层穿过栅氧化层和介质层（7）对应连接在第一P型掺杂区（41）和第二P型掺杂区（42）上方的部分构成源极金属电极（8），对应连接在N型掺杂电极接触区（52）上方的部分构成截止环电极（9）；设置在N型掺杂半导体衬底（1）下方的下金属层构成漏极金属电极（10）；多晶硅对应原胞源极区域C的部分构成栅电极（61）；多晶硅对应终端结构区域T的部分构成多晶硅场板结构，与源极金属电极（8）相连的部分为内侧多晶硅场板结构（62），与截止环电极（9）相连为外侧多晶硅场板结构（64），内侧多晶硅场板结构（62）与外侧多晶硅场板结构（64）之间设置有若干呈间隔环形设置的中间多晶硅场板结构（63）。

2.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，所述的P型填充阱区（3）采用深槽腐蚀和硅回填工艺，表面平坦化处理后形成。

3.根据权利要求1所述的一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，所述的中间多晶硅场板结构（63）由若干浮置的多晶硅绕制而成。

4.根据权利要求1或3所述的一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，所述的原胞源极区域C内沿长度方向第一P型填充阱区（31）和N型掺杂外延层（2）交替排列；终端结构区域T内沿长度方向第二P型填充阱区（32）和第三P型填充阱区按顺序依次与N型掺杂外延层（2）交替排列。

5.根据权利要求4所述的一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，所述的中间多晶硅场板结构（63）在终端结构区域T的长度方向上平行设置于第三P型填充阱区（33）上方，在终端结构区域T的宽度方向上垂直设置于第三P型填充阱区（33）上方，在方向变换时采用圆弧过渡。

6.根据权利要求5所述的一种具有超结结构的半导体器件，其特征在于，所述的中间多晶硅场板结构（63）在终端结构区域T的长度方向上与对应的第三P型填充阱区（33）向外呈错位设置。