[实用新型]一种发光器件芯片

权利要求书

1.一种发光器件芯片，其特征在于，包括：自下而上依次为反射衬底、N电极、外延层N区、有源区、外延层P区和P电极，所述反射衬底包括介质层、银镜和铜衬底，所述反射衬底通过生长衬底的转换方式形成。

2.根据权利要求1所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述生长衬底包括预置转换层；所述预置转换层能够将所述生长衬底转换为所述反射衬底；所述介质层和所述银镜通过沉积、光刻、刻蚀和蒸镀制备，所述铜衬底通过电镀方式制备，所述介质层包括SiO₂、ITO或Si₃N₄，所述铜衬底厚度范围为70μm～150μm。

3.根据权利要求2所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述预置转换层通过外延生长方式自下而上依次形成所述外延层N区、所述有源区和所述外延层P区；所述P电极经过蒸镀BeAu、退火、光刻和刻蚀制成，所述N电极经过蒸镀GeAu、光刻和刻蚀制成。

4.根据权利要求3所述的一种发光器件芯片，其特征在于，还包括支撑衬底；所述外延层P区通过粘附方式形成粘合层，所述粘合层附接所述支撑衬底；或者所述外延层P区通过键合介质结合所述支撑衬底；所述支撑衬底具体为硅衬底、蓝宝石衬底或石英衬底。

5.根据权利要求4所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述键合介质能够被去光阻剂溶解，所述去光阻剂具体为丙酮。

6.根据权利要求5所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述键合介质为光阻剂，所述光阻剂具体为有机胶介质。

7.根据权利要求2所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述预置转换层能够被腐蚀液选择性消除；所述腐蚀液具体为HF或BOE。

8.根据权利要求2～7任一项所述的一种发光器件芯片，其特征在于，所述生长衬底包括GaAs；所述预置转换层包括AlAs。