[实用新型]一种阵列基板及显示装置

说明书

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示装置。

背景技术

有机发光显示器（Organic Light Emitting Diode，OLED），相较于阴极射线管（CRT）或液晶显示器（LCD）相比，具有更轻薄、更宽的视角、更快的响应速度和更低的功耗等优点，故有机发光显示器作为下一代显示器，备受关注。

有机发光显示器阵列基板中一般包括两个薄膜晶体管，其中一个作为开关晶体管，另一个作为驱动晶体管。图1A所示为现有技术中阵列基板局部结构的平面图，图1B所示为图1A中虚线A-A方向上的剖面图。如图1A和图1B所示，现有技术中阵列基板包括两个薄膜晶体管分别为第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2，具体的层级结构包括透明基板1、第一栅极101a、第二栅极101b、栅极绝缘层102、第一有源层103a、第二有源层103b、刻蚀保护层104、第一源极105a、第一漏极106a、第二源极105b、第二漏极106b、树脂层107、金属连接线108、像素电极109、黑矩阵110、有机发光层111、对电极112、栅线113、数据线114、电源线115。其中，栅线113与第一薄膜晶体管TFT1的栅极即第一栅极101a连接，数据线114与TFT1的源极即第一源极105a相连，第一薄膜晶体管TFT1的第一漏极106a通过过孔与第二薄膜晶体管TFT2的栅极即第二栅极101b连接。电源线115与数据线114平行，并与第二薄膜晶体管TFT2的源极即第二源极105b连接，第二薄膜晶体管TFT2的漏极即第二漏极106b与像素电极109连接。

由图1A和图1B所示可知，第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2均采用底栅结构，第一漏极106a通过与像素电极109同层设置的连接金属线108与第二栅极101b过孔连接。连接金属线108与像素电极109采用同种材料，并具有导电性，为避免短路，像素电极109覆盖区域须避开连接金属线108，如图1A和图1B所示，相应的像素电极109上设置的有机发光层111也须避开连接金属线108覆盖的区域，连接金属线108覆盖的区域由划分子像素区域的黑矩阵110覆盖。

上述存在两个薄膜晶体管连接的结构中，第一薄膜晶体管的漏极与第二薄膜晶体管的栅极进行连接时，需要单独设置连接金属线进行连接，为避免连接金属线与其它导电金属之间形成短路，则需要在连接金属线上覆盖例如黑矩阵等绝缘材料，工艺较复杂。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种阵列基板及显示装置，以解决现有存在两个薄膜晶体管的结构中，实现两个薄膜晶体管的连接需要单独设置连接金属线的问题。

本实用新型的目的是通过以下技术方案实现的：

一方面，提供一种阵列基板，该阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极和第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极和第二漏极，其中：

所述第一栅极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置；

所述第二栅极、所述第一源极和所述第一漏极同层设置，且所述第二栅极与所述第一漏极为一体结构。

本实用新型中阵列基板包括第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第二薄膜晶体管的栅极，与第一薄膜晶体管的源极和漏极同层设置，并且第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的漏极为一体结构，故无需单独设置金属连接线，连接第二薄膜晶体管的栅极与第一薄膜晶体管的源极或漏极，使得制作工艺简单，并且应用在有机发光显示器件中，能够增大有效的发光显示区域，提高有机发光显示器的开口率。

较佳的，该阵列基板还包括与所述第一栅极电连接的栅线，以及与所述第二源极电连接的电源线，其中，

所述栅线、所述电源线与所述第一栅极、所述第二源极和所述第二漏极同层设置，且所述栅线与所述电源线平行。

本实用新型实施例中电源线与栅线平行设置能够避免短路，并且电源线与第二源极同层设置，改变原有电源线与数据线同层设置的结构，能够使得电源线与第二源极电连接时，避免过多的过孔设计。

较佳的，该阵列基板还包括位于所述第一栅极、所述第二源极和所述第二漏极之上的第一绝缘层，以及依次形成在所述第一绝缘层上、并采用同一构图工艺制作的有源层和刻蚀阻挡层，简化了制作工艺，其中，

所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述刻蚀阻挡层包括第一刻蚀阻挡层和第二刻蚀阻挡层；

所述第一有源层位于所述第一栅极的上方，所述第二有源层位于所述第二源极和所述第二漏极的上方；