[发明专利]抗反射层和方法有效
申请号: | 201410840746.3 | 申请日: | 2014-12-30 |
公开(公告)号: | CN105047540B | 公开(公告)日: | 2018-05-25 |
发明(设计)人: | 张庆裕;刘朕与 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/027 | 分类号: | H01L21/027;H01L21/312;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 浮置 抗反射层 聚合物树脂 交联剂 催化剂 氟原子 顶面 去除 散布 | ||
提供了用于抗反射层的系统和方法。在一个实施例中,在散布抗反射层之后,抗反射层包括浮置组分以沿着抗反射层的顶面形成浮置区域。浮置组分可以是浮置交联剂、浮置聚合物树脂或浮置催化剂。浮置交联剂、浮置聚合物树脂或浮置催化剂可以包括氟原子。使用液体来去除抗反射层。
相关申请的交叉参考
本申请是于2013年10月17日提交的、标题为“Anti-Reflective Layer andMethod”的第14/056,737号美国专利申请的继续申请;要求于2013年3月12日提交的、标题为“Anti-Reflective Layer and Method”的第61/777,782号美国临时申请的优先权;以及要求于2014年4月29日提交的、标题为“Anti-Reflective Layer and Method”的第61/982,945号美国临时申请的优先权,其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明一般地涉及半导体技术领域,更具体地,涉及半导体器件的制造方法。
背景技术
随着消费设备响应于消费者的需求而变得越来越小,这些设备的各个部件的尺寸也需要减小。组成这些设备(诸如移动电话、平板电脑等)的主要部件的半导体器件迫于压力而变得越来越小,半导体器件内的各个器件(例如,晶体管、电阻器、电容器等)的对应尺寸也迫于压力而缩小。
半导体器件的制造工艺所使用的一种能够减小尺寸的技术是使用光刻材料。这种材料被施加于表面,然后被暴露给能量使其被图案化。这种曝光改变了光刻材料的暴露区域的化学和物理特性。与光刻材料没有被曝光的区域中没有改变特性一起,这些改变可以用于去除一个区域而不去除另一个区域。
然而,随着各个器件尺寸的减小,用于光刻处理的工艺窗口变得越来越紧凑。如此,需要光刻处理领域的进步(诸如使用抗反射层来防止入射光不期望的反射)来保持缩小器件的能力,并且需要进一步的改进以满足期望的设计标准,使得可以保持越来越小部件的发展。
发明内容
为了解决现有技术中所存在的缺陷,根据本发明的一方面,提供了一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底上方散布抗反射材料以形成抗反射涂层,所述抗发射材料具有第一浓度的浮置组分;形成与所述抗反射涂层的顶面相邻的浮置区域,所述浮置区域具有第二浓度的浮置组分,所述第二浓度大于所述第一浓度;以及向所述抗反射材料施加液体以去除所述抗反射材料和所述浮置区域。
在该方法中,施加所述液体包括施加水溶液。
在该方法中,所述水溶液的pH介于大约-1至大约4之间。
在该方法中,所述水溶液的pH介于大约9至大约14之间。
在该方法中,施加所述液体包括施加有机溶剂。
在该方法中,所述液体包括无机酸。
在该方法中,执行施加所述液体小于1分钟,以去除所述抗反射材料。
根据本发明的另一方面,提供了一种制造半导体器件的方法,所述方法包括:在衬底上涂覆抗反射涂层;沿着所述抗反射涂层的顶面由所述抗反射涂层形成具有第一去除速率的第一区域,其中,所述抗反射涂层的第二区域具有不同于所述第一去除速率的第二去除速率;以及通过向所述抗反射涂层施加液体来去除所述第一区域和所述第二区域。
该方法还包括:在去除所述第一区域和所述第二区域之前,图案化所述抗反射涂层。
在该方法中,施加所述液体包括施加水溶液。
在该方法中,所述水溶液的pH介于大约-1至大约4之间。
在该方法中,所述水溶液的pH介于大约9至大约14之间。
在该方法中,施加所述液体包括施加有机溶剂。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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