[发明专利]晶圆级封装的制造方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装的制造方法，其特征在于，

在第一芯片上形成第一光刻胶，在所述第一光刻胶上形成多个第一开口部，露出所述第一芯片的功能面；

在从所述多个第一开口部露出的功能面上形成凸点下金属层，然后去除所述第一光刻胶；

将所述第二芯片的功能凸点与所述凸点下金属层连接；

在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层；

在所述第一芯片上形成连接层，所述连接层为层状结构；

在所述连接层顶面植焊球，所述焊球的顶面高于所述第二芯片的顶面。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

形成所述连接层的方法为：

在所述第一芯片和所述第二芯片之间形成填充层之后，在由所述第一芯片、第二芯片和所述填充层组成的整体结构的上方，形成气象沉积层，在所述气象沉积层上形成第二光刻胶，并在所述第二光刻胶上形成多个第二开口部，露出所述气象沉积层；

在露出的所述气象沉积层上形成连接层；

去除所述第二光刻胶并露出所述气象沉积层。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

以所述第一芯片的上表面为基准面，所述焊球的顶面到所述基准面的距离为100-150微米；

所述第二芯片顶面到所述基准面的距离小于60微米。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

在第一芯片上形成第一光刻胶之前，先在所述第一芯片上形成保护层，之后在保护层上表面形成所述第一光刻胶；

所述第一开口部露出所述功能面上的保护层；

所述凸点下金属层形成于从所述开口部露出的保护层的上表面；

所述保护层上表面中，形成有所述凸点下金属层的部分为第一部分，未形成所述凸点下金属层的为第二部分，去除所述光刻胶后，再去除所述第二部分。

5.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，

所述连接层的层状结构，从上到下依次为镍层、镍铜合金层、和铜层。

6.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，

所述接焊球为锡球。

7.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，

所述连接层具有多个，多个所述连接层围绕所述第二芯片，形成在所述第一芯片上。

8.根据权利要求1-4任一项所述的方法，其特征在于，

所述填充层为树脂层。