[发明专利]一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法有效

专利信息
申请号: 201410833418.0 申请日: 2014-12-27
公开(公告)号: CN104529412A 公开(公告)日: 2015-04-22
发明(设计)人: 金汉;李永锋;史忠旗;乔冠军 申请(专利权)人: 西安交通大学
主分类号: C04B35/14 分类号: C04B35/14;C04B35/626
代理公司: 西安通大专利代理有限责任公司 61200 代理人: 陆万寿
地址: 710049 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 一种 纳米 级六方 氮化 二氧化硅 陶瓷材料 制备 方法
【说明书】:

技术领域

本发明属于陶瓷材料技术领域,具体涉及一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法。

背景技术

常见的含纳米氮化硼的复相陶瓷的制备通常分为直接烧结法与间接烧结法。直接烧结法如CN104072146A公开之专利,首先将纳米氮化硼按一定比例加入到其它陶瓷粉体中,其次经过球磨、干燥,最后通过热压烧结而成,其工艺简单成本低廉,但纳米粉体在初始混料过程中容易发生团聚,从而影响最终烧结所得陶瓷材料的性能。间接烧结法如CN103172050A公开之专利,首先将陶瓷颗粒浸入到硼酸、尿素溶液中,经过一定处理得到表面包覆有氮化硼的陶瓷前驱体,然后再在高温下烧结得到纳米氮化硼复相陶瓷,其综合性能良好,纳米氮化硼分布均匀,但其对设备要求高,工艺复杂。

发明内容

为了克服上述现有技术存在的缺陷,本发明的目的在于提供一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法,该方法操作简单,对设备要求低,经该方法制得的复相陶瓷材料的致密度、弯曲强度及断裂韧性良好。

本发明是通过以下技术方案来实现:

一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法,包括:

将六方氮化硼粉体在400~800℃下进行氧化处理,将氧化处理后的六方氮化硼粉体与二氧化硅粉体混合,经球磨搅拌、造粒、压片、排胶后,在气氛炉中于1500~1600℃进行烧结,经冷却制得纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料。

本发明的纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:

1)按1:5~8的质量比,取六方氮化硼粉体和二氧化硅粉体,先将六方氮化硼粉体在400~800℃下氧化处理3~7d,然后将氧化处理后的六方氮化硼粉体与二氧化硅粉体混合,得混合粉体;

2)将混合粉体进行湿法球磨,球磨得到的浆料烘干、粉碎、过筛;

3)向过筛得到的粉料中加入粉料质量5%~10%的聚乙烯醇水溶液,研磨造粒,制得造粒料,将造粒料压制成坯体;

4)将坯体在400~600℃下排胶12~24h;

5)将排胶处理后的坯体在氮气气氛下,以5~15℃/min的速率升温至1500~1600℃,保温1~3h后,冷却,制得纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料。

所述六方氮化硼粉体的粒径为5~10μm。

步骤2)所述的湿法球磨是将混合粉体装入球磨罐中,按照1:3的料球比向球磨罐中加入玛瑙球,然后加入占球磨罐体积2/3的酒精,在滚筒球磨机上以120~150r/min的转速下湿磨12~18h。

所述聚乙烯醇水溶液的质量分数为8~10%。

所述步骤3)是将造粒料在等静压机中以100MPa的压力压制成坯体。

步骤4)所述的排胶是将坯体置于马弗炉中进行。

所述步骤5)是将排胶处理后的坯体置于石墨模具中进行升温烧结。

与现有技术相比,本发明具有以下有益的技术效果:

本发明的纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法,对六方氮化硼粉体进行氧化处理,使得原始氮化硼粉体(BN)表面被引入大量的含氧缺陷(BxNyO)。在接下来的高温烧结过程中,经过处理的六方氮化硼粉体(BxNyO)在与易与SiO2反应生成硼硅玻璃相(液相),且随着温度的进一步增高,液相的粘度也随之减小,最终在毛细管力的作用下,这部分液相完全渗入到六方氮化硼的片层状结构中并与之产生剪切力。在剪切力的作用下,大尺寸的氮化硼颗粒(微米级)于是逐步被剥离碎化成了小尺寸的氮化硼颗粒(纳米级)。由于氮化硼粉体是在高温烧结过程中原位破碎,因此其颗粒分散均匀,无大规模团聚现象,故最终烧结所得复相陶瓷的各方面性能(致密度、弯曲强度、断裂韧性等)都较为优良。本发明方法操作流程简单,对设备要求低,适合工业化大规模生产。

附图说明

图1为未经处理的六方氮化硼粉体的初始微观形貌图;

图2为未经处理的氮化硼粉体烧结制备所得复相陶瓷微观形貌图;

图3为本发明方法制备得到的纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的微观形貌图。

具体实施方式

下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明,所述是对本发明的解释而不是限定。

实施例1

一种纳米级六方氮化硼/二氧化硅复相陶瓷材料的制备方法,包括以下步骤:

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