[发明专利]内置静电保护器件的高速输出电路

权利要求书

1.一种输出电路，其特征在于，其包括：

输出端；

连接于电源端和所述输出端之间的第一输出单元，其包括晶体管MP1、晶体管MP0和电阻RP，其中晶体管MP0的源极与电源端相连，晶体管MP0的漏极通过电阻RP与所述输出端相连，晶体管MP1的源极与电源端相连，晶体管MP1的漏极直接所述输出端相连；

连接于接地端和所述输出端之间的第二输出单元，其包括晶体管MN1、晶体管MN0和电阻RN，其中晶体管MN0的源极与接地端相连，晶体管MN0的漏极通过电阻RN与所述输出端相连，晶体管MP1的源极与接地端相连，晶体管MN1的漏极直接所述输出端相连。

2.根据权利要求1所述的输出电路，其特征在于，晶体管MP1的栅极与晶体管MP0的栅极相连，它们接收第一输出控制信号，晶体管MN1的栅极与晶体管MN0的栅极相连，它们接收第二输出控制信号。

3.根据权利要求2所述的输出电路，其特征在于，晶体管MP1和MP0为PMOS晶体管，晶体管MN1和MN0为NMOS晶体管，

在第一输出控制信号为高电平时，晶体管MP1和MP0截止，在第一输出控制信号为低电平时，晶体管MP1和MP0导通，

在第二输出控制信号为高电平时，晶体管MN1和MN0导通，在第二输出控制信号为低电平时，晶体管MN1和MN0截止。

4.根据权利要求3所述的输出电路，其特征在于，在第一输出控制信号和第二输出控制信号的控制下，晶体管MP1导通时，晶体管MN1截止，晶体管MN1导通时，晶体管MP1截止。

5.根据权利要求2所述的输出电路，其特征在于，在所述晶体管MP1中存在有第一寄生二极管，第一寄生二极管的正极与输出端相连，负极与电源端相连，在输出端上存在正静电时，静电泄放电流由输出端通过所述晶体管MP1的第一寄生二极管流至电源端，

在所述晶体管MN1中存在有第二寄生二极管，该第二寄生二极管的负极与输出端相连，正极与接地端相连，在输出端上存在负静电时，静电泄放电流由接地端通过所述晶体管MN1的第二寄生二极管流至输出端。

6.根据权利要求2所述的输出电路，其特征在于，电阻RP和电阻RN的电阻均大于200欧姆。

7.根据权利要求2所述的输出电路，其特征在于，晶体管MP1和MP0的衬体接电源端，晶体管MN1和MN0的衬体接接地端。