[发明专利]一种微流控芯片的制造方法有效
申请号: | 201410824415.0 | 申请日: | 2014-12-26 |
公开(公告)号: | CN104549583A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 金名亮;吴俊;水玲玲;周国富 | 申请(专利权)人: | 华南师范大学;深圳市国华光电科技有限公司;深圳市国华光电研究所 |
主分类号: | B01L3/00 | 分类号: | B01L3/00 |
代理公司: | 广州嘉权专利商标事务所有限公司 44205 | 代理人: | 唐致明 |
地址: | 510631 广东省广州市大学城*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 微流控 芯片 制造 方法 | ||
1.一种微流控芯片的制造方法,包括以下步骤:
S10:制备带有微通道的第一基材;
S20:制备用于封装所述第一基材的第二基材
S30:在真空环境下对第一基材与第二基材进行压合;
步骤S10与步骤S20的顺序不分先后。
2.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述步骤S10中第一基材的制备方法为:
S11:将聚二甲基硅氧烷与交联剂混合制成混合液;
S12:去除混合液中的气泡;
S13:将混合液涂覆在带有微通道的模板上;
S14:对带有混合液的模板进行固化处理;
S15:将混合液固化后形成的第一基材从模板上剥离。
3.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于:所述步骤S12中去除气泡的方法为对混合液进行抽真空处理。
4.根据权利要求2所述的制造方法,其特征在于:包括对剥离后的第一基材进行分割的步骤。
5.根据权利要求1所述的制造方法,其特征在于:所述S30之前设有第一基材与第二基材的清洗与干燥的步骤。
6.根据权利要求5所述的制造方法,其特征在于:所述步骤30中的压合方法为采用真空压合机进行压合。
7.根据权利要求6所述的制造方法,其特征在于:压合的技术参数为:真空度小于10pa,气囊压力为0.5~2个大气压。
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