[发明专利]有机发光显示面板在审
申请号: | 201410820908.7 | 申请日: | 2014-12-24 |
公开(公告)号: | CN105789247A | 公开(公告)日: | 2016-07-20 |
发明(设计)人: | 金荣浩;朴俊浩;朴印哲 | 申请(专利权)人: | 乐金显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 吕俊刚;刘久亮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 显示 面板 | ||
技术领域
本发明涉及有机发光显示面板。
背景技术
在平板显示器的领域中,鉴于亮度的强度和低功耗,液晶显示器已被广泛应用。 但是,由于液晶显示器是不能发光的非发光器件,所以在器件的亮度、对比度、视角 和放大率方面是不利的。
因此,目前正在开发的新的平板显示器是为了应对液晶显示器的这些缺点。新的 平板显示器中的一种是有机发光显示器,它是发光器件。因为有机发光显示器能够发 光,所以相比于液晶显示器它表现出增强的亮度、更宽的视角和改进的对比度。另外, 有机发光显示器不需要背光单元,因此它可以被设计得轻薄,并且在其功耗方面是优 选的。
有机发光显示器的有机发光显示面板可以通过使用从连接到在每个像素区域中 的薄膜晶体管的有机发光器件发射光而显示图像。有机发光器件通过将电场施加到位 于阳极和阴极之间的由有机化合物制成的有机发光层来发光。此外,有机发光器件可 以在低电压下以低功耗工作。此外,有机发光器件足够轻能够设置在柔性基板上。
当有机发光显示器被用于室外或明亮的场所时,由于从外部入射的光,导致有机 发光显示面板的可视性和亮度会减少,且有机发光显示面板的对比度性能可能会降 低。
发明内容
在这种背景下,本发明的一方面在于提供一种提高可视度、亮度和对比度特性的 有机发光显示面板。
本发明提高了有机发光显示面板的可视度、亮度和对比度特性。
本发明的一方面是一种显示装置,该显示装置包括:位于基板上的图案,所述图 案包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮光层;和位于所 述图案上的堤,所述堤包括吸光材料。
本发明的另一方面是一种有机发光显示面板,该有机发光显示面板包括:形成在 基板上的多个信号线;形成在所述基板上并包括栅极、源极和漏极的晶体管;形成在 所述基板和所述晶体管之间的遮光层;连接到所述源极或所述漏极的像素电极;和堤, 所述堤沿所述像素电极的边缘形成以使所述像素电极部分地露出,所述堤包括吸光材 料或涂敷有吸光物质,其中,所述信号线、所述栅极、所述源极、所述漏极和所述遮 光层中的至少一个包括多层结构,所述多层结构全部或部分包括导电层和至少一个遮 光层。
在示例性实施方式中,所述图案包括信号线、晶体管的电极和所述遮光层,所述 遮光层被构造为对应于形成在所所述基板上的晶体管。
在示例性实施方式中,所述导电层包括Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、 Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W和Cu中的至少一种或它们的合金。
在示例性实施方式中,所述遮光层包括能够吸收穿过所述基板入射的外部光的吸 光物质或材料。
在示例性实施方式中,所述遮光层包括金属氧化物、吸光金属或它们的合金。
在示例性实施方式中,所述金属氧化物选自IGZO、IGO、IZO、ZTO、IHZO和 IZZO构成的组。
在示例性实施方式中,穿过所述基板入射的外部光是非偏振光。
在示例性实施方式中,所述遮光层为基于黑色的颜色。
在示例性实施方式中,所述基板选自PET、PEN、聚酰胺和玻璃构成的组。
在示例性实施方式中,所述堤包括碳黑、作为碳黑和两种或更多种颜料的混合物 的黑色颜料、单一成分的黑色染料或者两种或更多种不同颜色的染料的混合物、黑色 树脂、石墨粉末、凹版油墨、黑色喷涂、或黑色瓷漆。
附图说明
本发明的以上和其它的目的、特征和优点将通过与附图结合的以下详细描述而更 清楚,其中:
图1示出应用了本发明的实施方式的有机发光显示器的系统结构。
图2是根据本发明的实施方式的有机发光显示面板的示意平面图。
图3是根据本发明的实施方式的图2中的有机发光显示面板沿着线A-A'和B-B' 的示意性剖面图。
图4A至图4D示出根据本发明的其它实施方式的有机发光显示面板中的用于遮 挡光的层的示例。
图5A至图5C是根据本发明的其它实施方式的沿图2的线A-A'和B-B'的示意性 剖面图。
图6是根据本发明的另一实施方式的沿图2的线A-A'和B-B'的示意性剖面图。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的