[发明专利]一种电路板基板层间导通的方法及电路板基板

权利要求书

1.一种电路板基板层间导通的方法，其特征在于，包括：

采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形，所述第一金属板的厚度为H，所述第二金属板的厚度为h,h＝H1；

在所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板以使得所述第一金属板的除所述第一导通区域以外的其他区域的厚度为H1，所述第一导通区域的面积为S1，其中，S1根据所述第一导通区域的电流大小确定；

在所述第二表面除第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板以使得所述第二导通区域的厚度为H4，所述第二导通区域的面积为S2，其中，S2根据所述第二导通区域的电流大小确定；

将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合以使得所述第一导通区域和所述第二导通区域接触。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

采用蚀刻工艺分别在所述第一金属板的第三表面和第二金属板的第四表面制作线路图形，其中，所述第三表面为与所述第一金属板的第一表面相对应的另一个表面，所述第四表面为与所述第二金属板的第二表面相对应的另一个表面；

将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形之前还包括：

对所述第一金属板和所述第二金属板进行表面处理，所述表面处理包括除油，微蚀刻和粗糙处理。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述采用蚀刻工艺分别在第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面制作线路图形包括：

对所述第一金属板蚀刻的厚度为H1/2+H2+H3，对所述第二金属板蚀刻的厚度为H1/2，其中，所述第一金属板和所述第二金属板进行蚀刻区域的垂直方向上剩余的厚度均为H1/2，所述第一金属板的厚度H＝H1+H2+H3，其中，H2为所述第一金属板的介质层厚度，H3为需要进行微蚀刻的厚度。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合包括：

采用半固化片PP将所述第一金属板和所述第二金属板进行配板压合。

6.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，

所述第一金属板和所述第二金属板为铜板。

7.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，

所述抗蚀刻膜包含干膜。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述H4≤0.1mm，所述S1＞S2。

9.一种电路板，其特征在于，包括：第一金属板和第二金属板，其中，所述第一金属板的第一表面和第二金属板的第二表面通过蚀刻工艺设置有线路图形；

所述第一金属板的第一表面设置有第一导通区域，其中，所述第一表面的第一导通区域设置抗蚀刻膜，以使得采用微蚀刻工艺蚀刻所述第一金属板以使得所述第一金属板的除所述第一导通区域以外的其他区域的厚度为H1，所述第一导通区域的面积为S1，其中，S1根据所述第一导通区域的电流大小确定；

所述第二金属板的第二表面设置有第二导通区域，其中，所述第二表面除第二导通区域以外的其他区域设置抗蚀刻膜，以使得采用微蚀刻工艺蚀刻所述第二金属板以使得所述第二导通区域的厚度为H4，所述第二导通区域的面积为S2，其中，S2根据所述第二导通区域的电流大小确定；

所述第一导通区域接触所述第二导通区域。