[发明专利]一种氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种氮梯度硬质反应膜的制备方法，特别是采用不同合金靶制备多弧离子镀氮梯度硬质反应膜的方法，比如氮化钛铝锆铌﹝（TiAlZrNb）N﹞氮梯度硬质反应膜的制备方法。

背景技术

多弧离子镀是一种设有多个可同时蒸发的阴极弧蒸发源的真空物理沉积技术，具有沉积速度快、膜层组织致密、附着力强、均匀性好等显著特点。该技术适用于硬质膜及硬质反应梯度膜的制备，并在氮化钛，氮化钛铝, 氮化钛铝锆以及更多元的硬质反应膜的制备方面获得成功应用。氮化钛铝锆, 氮化钛铌等钛基硬质反应膜由于硬度高、摩擦系数小、耐热性强等各自特性而比氮化钛膜更具有开发应用前景。

对于单层的以钛为基的多组元硬质反应膜而言，主要存在以下缺点：1、一般容易出现膜层硬度与膜层附着力之间的矛盾，即硬度与附着力难以同时满足；2、容易在膜层中产生较大的内应力，影响硬质膜的热震性能，进而影响使用效果和使用寿命。

发明内容

本发明的目的是提供一种氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的制备方法，该方法降低了镀膜成本，保证了膜层高附着力、高硬度和高热震性的同时实现，减小了膜层内应力，并具有良好的稳定性和可重复性。

本发明的技术方案是：一种氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的制备方法依次包括：

1、沉积技术及靶材成分的确定：确定多弧离子镀作为氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的制备技术，选用两个不同方位且成90度配置的弧源同时起弧沉积，其中一个弧源为纯度99.9%的商用钛铌合金靶，钛铌合金靶的原子比为Ti:Nb=75:25；另一个弧源为纯度99.9%的商用钛铝锆合金靶，钛铝锆合金靶的原子比为Ti:Al:Zr=71:18:11。

2、工件的选择与前处理：选择商用高速钢作为工件材料，在放入镀膜室进行镀膜前，使用金属洗涤剂对工件进行常规去油、去污处理并进行表面抛光处理，最后分别用丙酮和乙醇进行超声波清洗，电吹风吹干以备用。

3、预轰击工艺的确定：指为获得多弧离子镀氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜而在沉积之前进行的离子轰击工艺，当镀膜室背底真空度达到8.0′10^-3帕、温度达到200°C时充入氩气，使镀膜室真空度达到2.5′10^-1 帕，开启两弧源，分别保持弧电流在60安培和55安培，进行离子轰击10~12分钟，轰击偏压从350伏逐渐增加到400伏。

4、沉积工艺的确定：指为获得多弧离子镀技术制备氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜而采用的沉积工艺，镀膜过程分为三个阶段，第一步，将镀膜室内的氩气压强保持在2.5′10^-1 帕，钛铝锆合金靶和钛铌合金靶的弧电流分别置于60安培和55安培，工件偏压为150~200伏，沉积时间5~8分钟；第二步，向镀膜室内通入氮气，使其分压强达到1.5′10^-1 帕，然后调整氩气流量，使混合气体总压强保持在2.8′10^-1 帕，钛铝锆合金靶和钛铌合金靶的弧电流分别置于60安培和55安培，工件偏压为150~200伏，沉积时间20分钟；第三步，关闭氩气入口，使氩气流量为0，氩气分压为0，并继续增加氮气流量，使其压强达到2.8′10^-1 帕，钛铝锆合金靶和钛铌合金靶的弧电流分别置于60安培和55安培，工件偏压为150~200伏，沉积时间30分钟。

5、真空加热处理：包括工件加热和膜层烘烤，工件加热方式采用电热体烘烤加热，在镀膜室背底真空达到3.0′10^-2帕时开始工件加热，升温速度保持在3~5°C /分钟，一小时后可以达到180°C；膜层烘烤是指沉积过程结束后对所沉积的氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜进行后加热烘烤，采用小电流进行微加热10~15分钟，电流逐渐从70安培降低到50安培。

6、工件旋转：在工件加热、离子轰击、膜层沉积、膜层烘烤的整个过程中一直保持工件旋转，转速为4~6转/分钟。

按照本发明所提出的采用钛铌合金靶和钛铝锆合金靶组合靶制备多弧离子镀氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的方法，可以获得上述的氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜，该氮化钛铝锆铌氮梯度硬质反应膜的氮含量呈梯度分布，附着力强（3200N），硬度高（3HV3400）,抗热震性强（700°C热震循环达到9~10次）。