[发明专利]一种降低源极和漏极电阻的方法有效
| 申请号： | 201410654365.6 | 申请日： | 2014-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN105679671B | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 鲍宇;周军;朱亚丹;曾真 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336 |
| 代理公司： | 31100 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张东梅 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 降低 电阻 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在衬底上形成的栅极、源极和漏极区和侧墙；
在源极和漏极区上形成半导体层；
沉积掩膜层，并选择性地去除部分掩模层，以在所述侧墙两侧上形成侧墙掩膜层；
刻蚀所述半导体层；
多次重复所述形成侧墙掩膜层和刻蚀半导体层的步骤；
去除所述掩膜层，从而在源极和漏极区上形成以栅极为中心的内高外低的多阶梯状结构，
其中选择性地去除部分掩模层包括通过各向异性刻蚀工艺刻蚀掩膜层，由于所述栅极、源极和漏极区上的掩膜层厚度小于所述侧墙两侧上掩膜层的厚度，因此在刻蚀掉所述栅极、源极和漏极区上的掩膜层后，在所述侧墙两侧上形成侧墙掩膜层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层是硅层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括与所述源极和漏极区直接接触的SiGe层、在所述SiGe层上的硅层。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体层包括与所述源极和漏极区直接接触的第一硅层，在所述第一硅层上的SiGe层、在所述SiGe层上的第二硅层。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，刻蚀所述半导体层包括以所述SiGe层作为刻蚀停止层，刻蚀所述SiGe层上的硅层。
6.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，所述SiGe层的厚度大于10埃。
7.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，还包括在刻蚀所述半导体层后，去除所述SiGe层。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述侧墙掩膜层的宽度大于30埃。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述掩膜层由以下材料中的任一种形成：氧化硅、氮化硅、SiON、非晶碳或它们的任意组合。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于，通过外延生长法形成所述半导体层。
11.一种半导体器件，包括通过权利要求1至10中的任一项所述的方法制造的结构。
12.一种半导体器件，包括：
栅极、源极和漏极区和侧墙，
其中所述源极和漏极区上具有以栅极为中心的内高外低的多阶梯状结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
