[发明专利]一种烷烃杂质深度净化方法

权利要求书

1.一种烷烃杂质深度净化方法，其包括以下步骤：

(1)使待净化的烷烃与碱溶液接触；

(2)然后与铜类吸附剂接触；

(3)之后与选择性吸附极性化合物的吸附剂接触，得到深度净化后的烷烃。

2.根据权利要求1所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，步骤(2)中的铜类吸附剂填装于吸附床中，与所述铜类吸附剂的接触为与含有所述铜类吸附剂的吸附床的接触；步骤(3)中的选择性吸附极性化合物的吸附剂填装于吸附床中，与所述选择性吸附极性化合物的吸附剂的接触为与含有所述选择性吸附极性化合物吸附剂的吸附床的接触。

3.根据权利要求1所述的烷烃杂质深度净化方法，其还包括以下步骤：在再生条件下，使吸附有极性化合物的选择性吸附极性化合物的吸附剂与加热后的再生剂蒸汽流接触，以解吸所述极性化合物，并得到废弃的再生剂；冷却所述废弃的再生剂，以分离出烃相和水相。

4.根据权利要求3所述的烷烃杂质深度净化方法，其还包括以下步骤：将所述烃相中的至少一部分进行压缩后回用作为再生剂的至少一部分。

5.根据权利要求1或3所述的烷烃杂质深度净化方法，其还包括以下步骤：将步骤(3)得到的深度净化后的烷烃中的至少一部分作为再生剂的至少一部分。

6.根据权利要求3所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，所述再生条件为温度149℃-300℃，压力0.1MPa-3.50MPa。

7.根据权利要求3所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，所述再生剂包括丙烷、正丁烷、异丁烷、戊烷、碳五异构烷烃和碳六异构烷烃中的一种或几种的组合。

8.根据权利要求1或2所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，所述铜类吸附剂为以单质态的铜、还原态的铜和氧化态的铜中的一种或几种的组合作为主要活性组分的吸附剂；优选地，所述铜类吸附剂为铜和/或氧化铜为主要活性组分的吸附剂；更优选地，该吸附剂中还包括Zn、Mn、Fe、Co、Ag、La和Cs中的一种或几种的组合作为其他活性组分；最优选地，所述铜类吸附剂为CuY分子筛。

9.根据权利要求1或2所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，所述选择性吸附极性化合物的吸附剂为分子筛，其包括天然八面沸石、A型分子筛、X型分子筛、Y型分子筛和L型分子筛中的一种或几种的组合；优选地，所述选择性吸附极性化合物的吸附剂为13X型分子筛。

10.根据权利要求1所述的烷烃杂质深度净化方法，其中，步骤(1)、(2)和(3)是分别在15℃-66℃的温度下、0.1MPa-3.50MPa的压力下进行的，步骤(1)中的待净化的烷烃与碱溶液接触的停留时间为5-90min，步骤(2)和(3)中的液空速分别为0.5-4h^-1。