[发明专利]激光加工方法以及激光加工装置

说明书

本发明提供激光加工方法以及激光加工装置，其能够抑制漏光且能够增大被加工物的厚度方向上的改性层的宽度。在该激光加工方法中，将对被加工物具有透射性的波长的激光线的聚光点定位于被加工物的内部而进行照射，在被加工物的内部形成改性层，激光线的谱线宽度设定为10pm以下。

技术领域

本发明涉及对半导体晶片等的被加工物实施激光加工的激光加工方法以及激光加工装置。

背景技术

在半导体器件制造过程中，利用在大致为圆板形状的半导体晶片的表面排列成格子状的分割预定线，划分为多个区域，在该划分的区域中形成IC、LSI等的器件。进而，沿着分割预定线切割半导体晶片，由此，将形成有器件的区域分割，制造出各器件。

作为沿着分割预定线来分割上述半导体晶片的方法，尝试了如下激光加工方法：使用对晶片具有透射性的波长的脉冲激光线，将聚光点定位于应该分割的区域的内部来照射脉冲激光线。使用了该激光加工方法的分割方法是如下技术：从晶片的一面侧，将对晶片具有透射性的波长的脉冲激光线的聚光点定位于与分割预定线对应的内部，沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改性层，沿着因形成有该改性层而使强度降低的分割预定线施加外力，由此将晶片分割为各个器件(例如，参照专利文献1)。

在上述激光加工技术中，例如，将对硅晶片具有透射性的1320nm的波长的脉冲激光线的聚光点定位于与分割预定线对应的内部，并沿着分割预定线进行照射，在晶片的内部沿着分割预定线连续地形成改性层，具有能够缩小分割预定线的宽度的优点。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特许第3408805号公报

发明内容

发明要解决的问题

然而，由于激光线是从没有形成器件的背面侧照射的，因此，对改性层的形成没有贡献的激光线成为漏光，存在会损伤在表面上形成的器件这样的问题。

此外，在为了抑制漏光而使用对硅晶片具有透射性且与光学吸收端接近的波长为1064nm的激光线来形成改性层时，晶片的厚度方向上的改性层的宽度为30μm左右，针对厚度超过100μ的晶片，需要层叠数层来形成改性层，存在生产性差这样的问题。

本发明是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于，提供能够抑制漏光且能够增大被加工物的厚度方向上的改性层的宽度的激光加工方法以及激光加工装置。

用于解决问题的手段

为了解决上述的主要的技术问题，根据本发明，提供一种激光加工方法，其将对被加工物具有透射性的波长的激光线的聚光点定位于被加工物的内部来进行照射，在被加工物的内部形成改性层，所述激光加工方法的特征在于，

激光线的谱线宽度设定为10pm以下。

被加工物为硅基板，激光线的波长设定为1064nm。

此外，根据本发明，提供一种激光加工装置，其具有：卡盘台(チャックテーブル)，其保持被加工物；激光线照射组件，其对保持在该卡盘台上的被加工物进行激光加工；以及加工进给组件，其使该卡盘台与该激光线照射组件沿加工进给方向相对移动，

该激光线照射组件具有：激光线振荡组件，其振荡出激光线；以及聚光器，其对从该激光线振荡组件振荡发出的激光线进行会聚之后照射于保持在该卡盘台上的被加工物，

在该激光线振荡组件中，所振荡的激光线的谱线宽度设定为10pm以下。

上述激光线振荡组件包含激励光源、激光介质和光谐振器，该光谐振器具有使激励光源发出的光沿一个方向循环的循环光学系统，在该循环光学系统中，配设有该激光介质和标准具(エタロン)，通过该标准具把激光线的谱线宽度设定为10pm以下。