[发明专利]一种LED芯片的研切方法在审
| 申请号： | 201410596792.3 | 申请日： | 2014-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN104319319A | 公开（公告）日： | 2015-01-28 |
| 发明（设计）人： | 刘洋;罗长得;姜敏 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 方法 | ||
1. 一种LED芯片的研切方法，其特征在于：包括如下步骤：
（1）提供一种具有蓝宝石衬底的半导体器件；
（2）对所述半导体器件进行上蜡、研磨、抛光；
（3）在所述半导体器件的蓝宝石衬底内部通过激光烧蚀得到图形化的烧蚀通道；
（4）对所述半导体器件进行下蜡、清洗、切割、裂片。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述的半导体器件在蓝宝石衬底上生长有外延层，外延层具有图形化的切割道。
3. 根据权利要求2所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述的切割道为由纵向直线切割道和横向直线切割道构成的网格状结构。
4.根据权利要求3所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述的烧蚀通道为由纵向直线通道和横向直线通道构成的网格状结构，每条直线通道与外延层切割道中的一条相对应并位于该切割道的正下方。
5.根据权利要求1所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述的烧蚀通道为由纵向直线通道和横向直线通道构成的网格状结构。
6.根据权利要求1或2或5所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：对研磨抛光时出现裂纹的蓝宝石衬底，调整烧蚀通道的位置以贯穿裂纹而避免裂纹延伸。
7.根据权利要求1所述的所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述激光烧蚀为激光隐形切割。
8.根据权利要求1或4或5所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述烧蚀通道与所述蓝宝石衬底下表面距离为10um~60um。
9. 根据权利要求4或5所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：所述直线通道的宽度为3~5um，高度为5um~20um。
10.根据权利要求4或5所述的所述的LED芯片的研切方法，其特征在于：平行排列的两行直线通道的间距为300um~5cm。
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