[发明专利]透明导电性薄膜的制造方法

权利要求书

1.一种透明导电性薄膜的制造方法，其特征在于，

其为在透明基材上依次形成有第1透明电介质层及透明导电层的透明导电性薄膜的制造方法，

所述制造方法具备以下工序：

在透明基材上从该透明基材侧开始依次形成第1透明电介质层及透明导电层的工序；

利用蚀刻液蚀刻所述透明导电层而进行图案化的工序；和

对图案化了的所述透明导电层进行热处理，使该透明导电层结晶化的工序，

所述第1透明电介质层由无机物形成，

所述透明导电层通过图案化形成有图案部和图案开口部，

在将对所述图案部照射白色光时的反射光的色相a^*值及色相b^*值分别设为a^*_P及b^*_P、将对所述图案开口部的正下方照射白色光时的反射光的色相a^*值及色相b^*值分别设为a^*_O及b^*_O时，满足0≤|a^*_P-a^*_O|≤4.00的关系，且满足0≤|b^*_P-b^*_O|≤5.00的关系。

2.根据权利要求1所述的透明导电性薄膜的制造方法，其具有在所述第1透明电介质层和所述透明导电层之间进一步形成折射率与所述第1透明电介质层不同的第2透明电介质层的工序。

3.根据权利要求2所述的透明导电性薄膜的制造方法，其中，

所述第1透明电介质层的光学厚度为3～45nm，

所述第2透明电介质层的光学厚度为3～50nm，

所述透明导电层的光学厚度为20～100nm，

在将所述第2透明电介质层的折射率设为n1、将所述透明导电层的折射率设为n2时，满足n1＜n2的关系。