[发明专利]基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极及制备方法

权利要求书

1.一种基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，包括：

一手柄，形状为T型，中空；

4个微针阵列电极片，其固定在手柄的底部，该4个微针阵列电极片通过4条导线与外部的阻抗测试设备连接。

2.根据权利要求1所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，其中手柄的材料为亚克力玻璃或聚碳酸酯或聚氯乙烯。

3.根据权利要求1所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，其中4个微针阵列电极片是粘贴、键合或焊接的方式并排固定在手柄底部，间距为1-5cm。

4.根据权利要求3所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，其中4个微针阵列电极片中微针的材料为硅、金属或PMMA高分子材料。

5.根据权利要求3所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，其中4个微针阵列电极片中微针为实心微针或中空微针。

6.根据权利要求3所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极，其中4个微针阵列电极片中微针的长度为50-500um。

7.一种基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极微针的制备方法，包括如下步骤：

步骤1：选择一双面抛光的硅片；

步骤2：将硅片的双面热氧化一层二氧化硅层；

步骤3：在硅片一面的二氧化硅层上旋涂一层光刻胶，通过曝光形成圆形或多边形的图形阵列；

步骤4：在圆形或多边形的图形阵列掩膜下干法刻蚀二氧化硅层，形成圆形或多边形的二氧化硅图形阵列；

步骤5：对圆形或多边形的二氧化硅图形阵列下的硅片进行静态腐蚀，形成倒锥形的孔洞；

步骤6：继续腐蚀，使倒锥形孔洞205体积逐渐增大，圆形或多边形的二氧化硅图形阵列下面的硅片呈现金字塔型针状结构；

步骤7：再腐蚀，使圆形或多边形的二氧化硅图形阵列脱落，形成金字塔型微针；

步骤8：清洗，将硅片表面的二氧化硅层去掉，形成基片；

步骤9：在基片的表面溅射一层金属，完成制备。

8.根据权利要求6所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极微针的制备方法，其中微针的间距为20-500um。

9.根据权利要求6所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极微针的制备方法，其中微针的长度为50-500um。

10.根据权利要求9所述的基于微针阵列的肌肉阻抗手持电极微针的制备方法，其中微针的底部直径为30-200um。