[发明专利]一种衬底可重复利用的外延结构制作方法

权利要求书

1.一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：包括以下步骤：

一、在外延衬底表面由下至上依次形成缓冲层、衬底保护层、外延剥离层、外延保护层及外延发光结构；

二、对外延剥离层进行氧化，形成氧化剥离层；

三，在外延发光结构的第二型电流扩展层上蒸镀金属反射层；将金属反射层与基板键合；

四、将基板粘黏在腐蚀装置的托片平台上，托片平台带旋转功能，采用强碱溶液在托盘旋转的条件下腐蚀氧化剥离层，直至外延发光结构与外延衬底剥离，得到可重复利用的外延衬底。

2.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：托片平台的转动速度设置范围6转/分-120转/分。

3.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：托片平台的转速在初始设定范围70-120转/分，腐蚀过程托片平台的转动速度逐渐降低，至腐蚀后期托片平台的转动速度的设定范围20-6转/分。

4.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：步骤三之后还包括：在基板、外延衬底背面形成保护胶；腐蚀氧化剥离层至外延发光结构与外延衬底剥离后，去除基板、外延衬底的背面保护胶。

5.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：步骤四之后还包括：采用湿法腐蚀去除外延保护层；在第一型电流扩展层上表面设置第一电极，在基板的下表面设置第二电极，切割分裂成芯粒，得到发光二极管。

6.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：氧化剥离层的构成材料包括AlAs与氧化铝的混合物及其化合物；且氧化剥离层的厚度范围30-100nm。

7.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：外延保护层包括第一外延保护层及第二外延保护层；第一外延保护层的构成材料包括 (Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P,0≤x≤1；第二外延保护层的构成材料包括Al_yGa_1-yAs,0≤y≤0.5。

8.如权利要求1所述的一种衬底可重复利用的大功率发光二极管外延结构制作方法，其特征在于：衬底保护层的构成材料包括 (Al_xGa_1-x)_0.5In_0.5P,0≤x≤0.5。