[发明专利]具有石墨烯探测层的霍尔效应传感器

权利要求书

1.一种结构，包括：

衬底，具有第一面；

籽晶层，形成在所述第一面上；以及

石墨烯层，形成在所述籽晶层的至少部分上方；

其中位于所述衬底和所述石墨烯层之间的所述籽晶层的至少部分被移除，以从所述石墨烯层形成悬置的石墨烯结构。

2.根据权利要求1所述的结构，进一步包括：

支撑结构，形成在所述石墨烯层的部分上方；

密封结构，形成在所述支撑结构的部分上方；

其中所述密封结构、所述支撑结构和所述石墨烯层围成腔体。

3.根据权利要求2所述的结构，其中所述腔体能够维持低压环境。

4.根据权利要求2所述的结构，其中所述密封结构完全填满所述腔体。

5.根据权利要求2所述的结构，所述密封层包括硼磷硅酸盐玻璃。

6.根据权利要求2所述的结构，其中所述密封层包括高密度聚乙烯。

7.一种用于制造霍尔传感器的方法，包括：

提供具有第一面的衬底；

在所述第一面上形成籽晶层；

在所述籽晶层的至少部分上方形成石墨烯层；以及

移除位于所述衬底和所述石墨烯层之间的所述籽晶层的部分。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括对所述石墨烯层进行构图。

9.根据权利要求7所述的方法，其中所述籽晶层的所述部分通过刻蚀移除。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述籽晶层的没有通过刻蚀移除的部分形成至少一个接触焊盘。

11.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在所述第一面中形成三维凹槽。

12.根据权利要求11所述的方法，其中在所述籽晶层被形成之前形成所述三维凹槽。

13.根据权利要求11所述的方法，其中所述三维凹槽被形成在(1,1,1)晶面上。

14.根据权利要求11所述的方法，其中所述三维凹槽大体上是棱锥形。

15.根据权利要求11所述的方法，其中所述三维凹槽大体上是八边形。

16.根据权利要求11所述的方法，其中所述三维凹槽大体上是立方体形。

17.根据权利要求11所述的方法，其中所述三维凹槽大体上是四叶形。

18.根据权利要求7所述的方法，其中所述籽晶层包括金属层。

19.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属层包括铜。

20.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属层包括镍。

21.根据权利要求18所述的方法，其中所述金属层包括铜镍合金。

22.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在所述石墨烯层的至少部分上方或者周围形成密封层。

23.根据权利要求22所述的方法，其中所述密封层包括硼磷硅酸盐玻璃。

24.根据权利要求22所述的方法，其中所述密封层包括高密度聚乙烯。