[发明专利]一种尺寸偏小硅块的斜切方式

说明书

技术领域

本发明涉及一种硅块的切割方式，尤其涉及一种尺寸偏小硅块的斜切方式。 

背景技术

当前，铸锭多晶硅太阳能电池的硅片生产过程一般为：喷涂装料→铸锭→破锭→检测加工→切片→清洗→分选。 

在加工硅块的过程中经常出现因操作不当而导致硅块尺寸偏小的现象。一般，尺寸偏大的硅块可以通过后期的磨面处理使得硅块达到正常尺寸，但对于尺寸较小的硅块却只能报废，报废将导致硅料的成本增加。且根据实验表明，尺寸较小的硅块除了尺寸不符合要求外，其它电学性能均符合产品要求，直接报废将导致硅料成本增加，且硅料利用率的降低也会干扰正常的生产节拍。 

发明内容

为解决因硅块尺寸偏小而导致硅料成本增加的缺陷，本发明特提供一种尺寸偏小硅块的切割方式。 

本发明的技术方案如下： 

一种尺寸偏小硅块的斜切方式，包括以下步骤： 

步骤一：选取需斜切的硅块，测量并记录硅块偏小边的边长； 

步骤二：根据硅块偏小边的边长，计算出晶托与玻璃板粘接的相对位置； 

步骤三：根据计算所得的数据，在玻璃板上画出晶托边界线，并按照晶托边界线将晶托粘接在玻璃板上； 

步骤四：将硅块粘接在玻璃板上； 

步骤五：固定好硅块后即可对硅块进行切割，其中切割线与晶托的短边平行。 

进一步，步骤二中晶托与玻璃板粘接的相对位置的计算过程如下： 

玻璃板的四个顶点依次表示为E、F、G、H；晶托与玻璃板一边的交点分别为C、D。 

按照公式计算硅块的偏移长度X；其中Y表示硅块偏小边的边长，B表示欲使硅块达到的实际边长； 

按照公式X3X4-X2X4=XY;]]>

X₃+X₁＝A-X₂； 

X5X2=YB;]]>

，计算出X₁、X₂、X₃的值。 

其中X₁为C到E的距离，X₂为C到D的距离，X₃为D到F的距离，X₄为玻璃板长度，A为玻璃板宽度，X₅为晶托宽度；所述Y、B、A、X₄、X₅为已知；所述X₁、X₃的值共同决定晶托边界线的位置。 

进一步，偏小硅块边长Y＞(2X₅.B+X.X₄)/A。 

在本发明中，通过斜切，有效地解决了偏小硅块的尺寸问题，最大程度地减小了偏小硅块的报废率，提高了硅块的循环利用率，降低了生产成本。并且通过对偏小硅块边长与(2X₅.B+X.X₄)/A的大小进行比较，可快速筛选出可回收利用的偏小硅块，提高了工作效率。 

附图说明

图1为晶托斜粘在玻璃板上的结构示意图； 

图2为晶托边界线的模拟示意图； 

图3为硅块电池片转换效率的示意图； 

图4为实验硅片成品外观分布图； 

其中附图标记所对应的零部件名称如下： 

1-玻璃板，2-晶托。 

具体实施方式