[发明专利]一种掺钠铜铟镓硒太阳电池器件及其制备方法在审
| 申请号： | 201410532537.2 | 申请日： | 2014-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN104241422A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 薛玉明;尹富红;刘君;宋殿友;朱亚东;李鹏海;潘洪刚;冯少君;张嘉伟;刘浩;高林;航伟;乔在祥;冯永旺;刘贵川;闫兵;靳忠杰;胡盛开 | 申请（专利权）人： | 天津理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/0445 | 分类号： | H01L31/0445;H01L31/18 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 300384 *** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 掺钠铜铟镓硒 太阳电池 器件 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的掺钠铜铟镓硒太阳电池，其特征在于：衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，其中苏打玻璃的厚度为1.5-2mm，聚酰亚胺膜厚度为25-30μm；钼背接触层生长于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底之上，分为高阻层和低阻层，其中高阻层的厚度为80-120nm，低阻层的厚度为600-700nm；氟化钠预制层薄膜生长于钼背接触层之上，化学分子式为NaF，厚度为20-30nm；铜铟镓硒吸收层生长于氟化钠预制层薄膜之上，化学分子式为CuIn1-xGaxSe2，式中x为0.25-0.35，导电类型为p型，厚度为1.5-2μm；硫化镉缓冲层生长于铜铟镓硒吸收层表面，化学分子式为CdS，导电类型为n型，厚度为45-50nm；透明窗口层生长于硫化镉缓冲层之上，分为高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜，导电类型为n型，其中本征氧化锌薄膜的厚度为50-100nm，氧化锌铝薄膜的厚度为0.4-0.6μm；铝上电极薄膜生长于透明窗口层之上，其后为为0.8-1.5μm。
2.根据权利要求1所述的氟化钠预置层薄膜的制备方法，其特征在于：氟化钠预制层薄膜生长于钼背接触层之上，然后再沉积铜铟镓硒吸收层，这样实现了三步法制备铜铟镓硒薄膜太阳电池的钠元素的前掺杂，氟化钠预制层采用硒化炉薄膜制备系统，应用共蒸发制备工艺。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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