[发明专利]掺杂方法

权利要求书

1.一种掺杂方法，其特征在于，其包括以下步骤：

S1：在第一导电类型衬底的正面和背面形成绒面；

S2：通过热扩散工艺在第一导电类型衬底的正面中形成第一导电类型掺 杂层，并且在扩散掺杂过程中在该第一导电类型掺杂层上形成第一氧化层；

S3：蚀刻该第一导电类型衬底的边缘并且抛光该第一导电类型衬底的背 面；

S4：在第一导电类型衬底的背面中扩散掺杂形成第二导电类型掺杂层， 并且在扩散掺杂的过程中在该第二导电类型掺杂层上形成第二氧化层；

S5：图形化该第二氧化层以暴露出预定区域的第二导电类型掺杂层；

S6：蚀刻预定区域的第二导电类型掺杂层直至暴露出该第一导电类型衬 底并由此在该第一导电类型衬底的背面中形成凹槽；

S7：在该凹槽的表面中形成第一导电类型掺杂区域。

2.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S5中通过激光或 者蚀刻浆料来蚀刻预定区域的第二氧化层。

3.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S6中通过酸性试 剂或碱性试剂来蚀刻预定区域的第二导电类型掺杂层和部分第一导电类型 衬底。

4.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S7中通过离子注 入的方式或者热扩散工艺形成该第一导电类型掺杂区域。

5.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，该第一氧化层为第一 导电类型掺杂硅玻璃，和/或，该第二氧化层为第二导电类型掺杂硅玻璃。

6.如权利要求1所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S7之后包括：去 除该第一氧化层和该第二氧化层。

7.如权利要求1-6中任意一项所述的掺杂方法，其特征在于，步骤S2 中的热扩散工艺为背靠背扩散。