[发明专利]物联网用无源无线的加速度传感芯片及其加工方法有效

专利信息
申请号: 201410520303.6 申请日: 2014-09-30
公开(公告)号: CN104267214B 公开(公告)日: 2017-12-15
发明(设计)人: 邓佩刚 申请(专利权)人: 武汉工程大学
主分类号: G01P15/11 分类号: G01P15/11;B81B7/00;B81B1/00
代理公司: 湖北武汉永嘉专利代理有限公司42102 代理人: 许美红
地址: 430074 湖北*** 国省代码: 湖北;42
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摘要:
搜索关键词: 联网 无源 无线 加速度 传感 芯片 及其 加工 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及加速度传感芯片,尤其涉及一种物联网用无源无线的加速度传感芯片及其加工方法。

背景技术

物联网被称为继计算机、互联网之后信息产业的第三次浪潮,为二十一世纪全球工业化、城市化进程提供了革命性的信息技术和智能技术。作为物联网的基础底层器件以及物联网终端节点—传感器,将是整个物联网产业链中需求总量最大和最基础的环节,物联网终端节点及其相关产业的技术水平和发展速度将直接影响物联网的发展速度。

加速度计是用来测量加速度的仪器,在航天、航海、汽车具有重要的应用价值。随着微机电 MEMS(Micro-Electro-Mechanical Systems,微机电系统)产业的兴起,加速度计逐渐向微型化、集成化方向发展。MEMS加速度计具有体积小、质量轻、成本低、功耗低、易批量生产等优点,目前已广泛应用于车辆、测试、航空航天、日常运动监控、游戏及一些消费类电子产品等领域。

用于物联网的加速度传感器件要求其具有低功耗和低成本的特定。而现在用于物联网的加速度传感器都是有源方式的,在一些安装条件不便的情况下,如地下结构,高空建筑结构等处,更换物联网传感器节点器件的电池就成了很大的问题,从而大大影响了该传感器的广泛应用。本发明提出的无源无线加速度传感芯片,其芯片的工作是无需电源的,而且加速度信号以电感耦合无线方式传出,故能解决现有加速度传感芯片在物联网应用中所遇到的这方面的问题。另一方面,本发明提出利用加速度改变MEMS电感,继而改变无源谐振电路谐振频率的新方法,设计中加速度的变化能引起微电感的电感量连续变化,变化范围大。且电感器件尺寸小,加工工艺简单,易于封装,适合大规模生产。较之传统改变电容的方法,便于消除寄生电容影响和提高系统Q值,大大提升传感器芯片的工作性能和可靠性。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于针对现有技术中物联网中的加速度传感器都是有源方式的缺陷,提供一种全新的MEMS结构和信号传输方法,实现一种无源无线MEMS加速度传感芯片,该芯片无需电源就可以以无线方式将加速度信号传递给接收端。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

提供一种物联网用无源无线的加速度传感芯片,包括上层结构和下层结构;

所述下层结构包括下层衬底片,该下层衬底片上设有串联的MEMS电容和MEMS电感;

上层结构包括上层衬底片,MEMS加速度感应的可动导体质量块和支撑梁,支撑梁与上层衬底片连接,固定在下层结构上方,可动导体质量块通过支撑梁悬浮于MEMS电感上方,可动导体质量块底部淀积有金属层;当加速度传感芯片有垂直于该可动导体质量块的加速度时,该可动导体质量块会随之上下运动。

本发明所述的加速度传感芯片中,上层衬底片和下层衬底片通过键合工艺连接成一个整体。

本发明所述的加速度传感芯片中,该支撑梁为十字形支撑梁。

本发明所述的加速度传感芯片中,可动导体质量块、支撑梁和上层衬底片为一体结构。

本发明所述的加速度传感芯片中,MEMS电感的线圈为在下层衬底片上的平面螺旋 。

本发明所述的加速度传感芯片中,可动导体质量块底部淀积的金属层为非晶体软磁合金层。

本发明还提供一种物联网用无源无线的加速度传感芯片的加工方法,包括以下步骤:

在下层衬底片上淀积一层绝缘层,并利用标准的光刻和干法腐蚀工艺将下层衬底片的周边键合区域的绝缘层去除;

在绝缘层上溅射一层金属层;

在该金属层上通过光刻和金属腐蚀工艺得到MEMS电容的下电极,以及MEMS电感的平面螺旋结构的一个接线端,该接线端与MEMS电容的下电极连接;

在金属层上淀积一层绝缘层,并用标准的光刻和腐蚀工艺去除多余部分,而将所述MEMS电感的平面螺旋结构的所述接线端形成一个开孔,使开孔下面的金属层露出来;

在绝缘层上淀积另外一层金属层,该金属层和所述开孔处的所述接线端形成电连接,再通过光刻和金属腐蚀工艺得到所需要的MEMS电感的平面螺旋结构,以及该平面螺旋结构的另外一个接线端;

在MEMS电容的下电极金属层上沉积一层中间介质层,作为电容的绝缘电介质层;

在MEMS电感区域旋涂一层厚胶,并光刻出MEMS电感的平面螺旋结构的图形,再利用金属电镀工艺,电镀具有一定厚度的平面螺旋电感结构;

最后溅射另一层金属层,通过光刻和腐蚀工艺得到MEMS电容的上电极,以及该上电极和MEMS电感平面螺旋结构的另外一个接线端的连接线;

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