[发明专利]ITO透明导电膜有效

专利信息
申请号: 201410508251.0 申请日: 2014-09-28
公开(公告)号: CN104240799A 公开(公告)日: 2014-12-24
发明(设计)人: 于甄;耿佳;丁晓峰;柯荣峰 申请(专利权)人: 张家港康得新光电材料有限公司
主分类号: H01B5/14 分类号: H01B5/14
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 常亮
地址: 215634 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: ito 透明 导电
【说明书】:

技术领域

发明涉及光学技术领域,特别是涉及一种ITO透明导电膜。

背景技术

触摸屏是由背光模组、Touch Sensor(触控感应器)以及玻璃盖板组成。当前,市场上主流的Touch Sensor结构为:G+2F,即玻璃上有两片透明导电膜,两片透明导电膜均由PET膜溅射IM层以及ITO层而成;两片透明导电膜的ITO面均经过刻蚀,从而分别形成了ITO的x、y矩阵图形,x、y矩阵之间形成电容,当手指接触玻璃盖板时,会对接触点的电容造成影响,这个影响信号通过Touch Sensor上的导线传递到电子设备的IC部分,从而定位出触控点的位置。

Touch Sensor的光学性能优劣直接决定了触摸屏给人的视觉感受好坏。用户会看到一些手机的触摸屏里面有一条一条的反射细线,并且反射有很强的蓝色,这种反射线与蓝色谱即是比较明显的蚀刻纹,它是因为Touch Sensor结构中的透明导电膜矩阵图形的反射与被刻蚀掉的部位反射差异而产生的。

透明导电膜刻蚀前后的反射差异,也即△R,是考察一片透明导电膜性能好坏的重要参数。如果△R越接近0,则ITO膜的蚀刻纹越不可见;反之,如果△R偏离0越多,则透明导电膜的蚀刻纹越明显。

用颜色来解释蚀刻纹原因即为PET膜上ITO矩阵的色度同被刻蚀掉的部位色度产生色度及色谱差异造成。如果用1b*来表示透明导电膜的色度,2b*来表示刻蚀后非ITO部分膜的色度,则1b*-2b*=△b*,△b*越接近于0,ITO透明导电膜的蚀刻纹越不可见;反之,如果△b*偏离0越多,则ITO透明导电膜蚀刻的色品差就越明显。

而随着高端大触屏设备的兴起以及OLED技术的前置自发光应用,我们要求刻蚀纹与色差都不可见,但是制作Touch Sensor的ITO透明导电膜蚀刻纹很难完全消除,造成现在市场上某些手机等设备的刻蚀纹比较明显,这便是现在的一些技术问题。

因此,针对上述技术问题,有必要提供一种新的ITO透明导电膜。

发明内容

有鉴于此,本发明的目的在于提供一种ITO透明导电膜,其消除了ITO透明导电膜产品蚀刻纹明显的问题。

为了实现上述目的,本发明实施例提供的技术方案如下:

一种ITO透明导电膜,所述ITO透明导电膜依次包括PET基材、第一IM层、第二IM层及ITO透明导电层,其中,

第一IM层包括涂布在所述PET基材上的HC硬化层以及位于所述HC硬化层上第一匹配层,所述第一匹配层的折射率大于HC硬化层的折射率,第一匹配层的折射率为1.46~1.49,所述第一匹配层与HC硬化层构成一对高低折射率匹配层;

第二IM层包括位于第一IM层上的第二匹配层以及第三匹配层,所述第二匹配层的折射率大于第一匹配层的折射率,第二匹配层的折射率为2.2~2.4,所述第三匹配层的折射率小于第二匹配层的折射率,第三匹配层的折射率为1.46~1.49,所述第二匹配层与第三匹配层构成一对高低折射率匹配层。

作为本发明的进一步改进,所述第一匹配层和第三匹配层的材料为SiOX或MgF2,第二匹配层的材料为NbOX

作为本发明的进一步改进,所述第一匹配层和第三匹配层的折射率为1.47,第二匹配层的折射率为2.3。

作为本发明的进一步改进,所述第一匹配层的厚度为8~15nm,第二匹配层的厚度为8~10nm,第三匹配层的厚度为20~30nm。

作为本发明的进一步改进,所述ITO透明导电层的折射率为2.0~2.2。

作为本发明的进一步改进,所述ITO透明导电层的折射率为2.1。

作为本发明的进一步改进,所述ITO透明导电层的厚度为18~25nm。

本发明具有以下有益效果:

在IM转移到PET基材内部的基础上进行溅射添加二次IM补偿,这种双重折射率匹配与补偿的全新技术便是D-IM技术。它以光学薄膜优化设计为基础,通过调整PET镀膜的工艺参数,可以生产出△R与△b*尽可能接近0甚至等于0的ITO透明导电膜。对这种溅射与涂布双重整合的ITO透明导电膜进行刻蚀,刻蚀纹与反射色谱不可见。通过双重折射率匹配与补偿新技术(即D-IM技术),可以极大地消除ITO透明导电膜产品蚀刻纹明显的问题。

附图说明

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