[发明专利]ITO透明导电膜有效
| 申请号： | 201410508251.0 | 申请日： | 2014-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN104240799A | 公开（公告）日： | 2014-12-24 |
| 发明（设计）人： | 于甄;耿佳;丁晓峰;柯荣峰 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/14 | 分类号： | H01B5/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215634 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | ito 透明 导电 | ||
1.一种ITO透明导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电膜依次包括PET基材、第一IM层、第二IM层及ITO透明导电层，其中，
第一IM层包括涂布在所述PET基材上的HC硬化层以及位于所述HC硬化层上第一匹配层，所述第一匹配层的折射率大于HC硬化层的折射率，第一匹配层的折射率为1.46～1.49，所述第一匹配层与HC硬化层构成一对高低折射率匹配层；
第二IM层包括位于第一IM层上的第二匹配层以及第三匹配层，所述第二匹配层的折射率大于第一匹配层的折射率，第二匹配层的折射率为2.2～2.4，所述第三匹配层的折射率小于第二匹配层的折射率，第三匹配层的折射率为1.46～1.49，所述第二匹配层与第三匹配层构成一对高低折射率匹配层。
2.根据权利要求1所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述第一匹配层和第三匹配层的材料为SiOX或MgF2；第二匹配层的材料为NbOX。
3.根据权利要求2所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述第一匹配层和第三匹配层的折射率为1.47，第二匹配层的折射率为2.3。
4.根据权利要求2所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述第一匹配层的厚度为8～15nm，第二匹配层的厚度为8～10nm，第三匹配层的厚度为20～30nm。
5.根据权利要求1所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电层的折射率为2.0～2.2。
6.根据权利要求5所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电层的折射率为2.1。
7.根据权利要求6所述的ITO透明导电膜，其特征在于，所述ITO透明导电层的厚度为18～25nm。
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