[发明专利]闸流管随机存取存储器装置及方法

权利要求书

1.一种闸流管存储器装置，其包含：

存储器单元阵列，每一存储器单元包括经折叠第一导电类型半导体区，每一经折叠第一导电类型半导体区具有两个面向上的端；

一对第二导电类型半导体区，其耦合到所述面向上的端；

控制线，其在所述经折叠第一导电类型半导体区内所述两个面向上的端之间，且在所述一对第二导电类型半导体区下方；

第一导电类型半导体帽，其在所述第二导电类型半导体区中的一者上；及

第一传输线，其耦合到另一第二导电类型半导体区。

2.根据权利要求1所述的闸流管存储器装置，其中所述第一导电类型为P型，且所述第二导电类型为N型。

3.根据权利要求1所述的闸流管存储器装置，其进一步包括耦合到所述半导体帽的第二传输线。

4.根据权利要求3所述的闸流管存储器装置，其中所述第二传输线与所述第一传输线正交。

5.根据权利要求3所述的闸流管存储器装置，其中所述第二传输线包括第一导电类型半导体材料和金属区。

6.根据权利要求1所述的闸流管存储器装置，其中所述第一传输线在所述阵列中的两个邻近存储器单元之间共享。

7.根据权利要求1所述的闸流管存储器装置，其中所述第一传输线以交错布置向外延伸到所述阵列的两侧。

8.根据权利要求6所述的闸流管存储器装置，其中所述第一传输线以交错布置向外延伸到所述阵列的两侧。

9.一种存储器单元，其包含：

经折叠第一导电类型半导体沟道，其具有两个面向上的端；

背栅极，其通过电介质与所述经折叠第一导电类型半导体沟道分离；

一对第二导电类型半导体区，其耦合到所述面向上的端；

控制线，其在所述经折叠区内所述两个面向上的端之间；

第一导电类型半导体帽，其在所述第二导电类型半导体区中的一者上；及

第一传输线，其耦合到另一第二导电类型半导体区。

10.根据权利要求9所述的存储器单元，其进一步包括耦合到所述半导体帽的第二传输线。

11.根据权利要求9所述的存储器单元，其进一步包括位于所述背栅极和衬底之间的非晶硅层。

12.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述背栅极包含钛。

13.根据权利要求9所述的存储器单元，其中所述背栅极包含钨。

14.一种存储器装置，其包含：

垂直半导体堆叠阵列，每一堆叠包括串联的第一、第二和第三P-N结；

掩埋式传输线，其耦合到所述垂直半导体堆叠的下方；

顶部传输线，其与所述掩埋式传输线正交，并耦合到所述垂直半导体堆叠的上方；及

一对控制线，其位于所述垂直半导体堆叠阵列中邻近的垂直半导体堆叠之间，且通过电介质层与所述垂直半导体堆叠的侧表面分离。

15.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述垂直半导体堆叠阵列的底层与多个垂直半导体堆叠相连。

16.根据权利要求14所述的存储器装置，其中每一所述垂直半导体堆叠的底层部分与其他垂直半导体堆叠分离。

17.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述控制线形成于所述第二和第三P-N结之间。

18.根据权利要求14所述的存储器装置，其中所述控制线通过所述电介质层与所述垂直半导体堆叠的所述侧表面和所述控制线下方的结构分离。

19.根据权利要求14所述的存储器装置，其进一步包括位于所述掩埋式传输线和衬底之间的接合层。