[发明专利]LED衬底结构及其制作方法

权利要求书

1.一种LED衬底结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底上形成有周期性阵列排布的凸形结构及反光体，所述反光体包括第一反光体和第二反光体，所述第一反光体环包所述凸形结构，所述第二反光体位于所述第一反光体上方，所述第二反光体形成碗状图形，所述碗状图形位于所述凸形结构的上方，所述第一反光体和第二反光体一体形成。

2.如权利要求1所述的LED衬底结构，其特征在于，所述凸形结构便于连接GaN层。

3.如权利要求1所述的LED衬底结构，其特征在于，所述反光体的材料为氮化硅及二氧化硅中的一种或两种组合。

4.如权利要求1～3中任一项所述的LED衬底结构，其特征在于，所述衬底和凸形结构的材料为蓝宝石。

5.一种LED衬底结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凸形结构；

在所述衬底上形成反光体，所述反光体包括第一反光体和第二反光体，所述第一反光体环包所述凸形结构，所述第二反光体位于所述第一反光体上方，所述第二反光体形成碗状图形，所述碗状图形位于所述凸形结构的上方，所述第一反光体和第二反光体一体形成。

6.如权利要求5所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，刻蚀所述衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凸形结构包括：

在所述衬底上形成掩膜层；

利用光刻和刻蚀工艺，去除部分掩膜层，暴露出部分衬底；

刻蚀暴露出的部分衬底，以在所述衬底上形成周期性阵列排布的凸形结构；

去除剩余的掩膜层。

7.如权利要求6所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成掩膜层中，所述掩膜层的材料为二氧化硅、氮化硅及氮氧化硅中的至少一种，所述掩膜层的厚度为0.1μm～1μm。

8.如权利要求6所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，利用干法或者湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底。

9.如权利要求8所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，当利用湿法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的刻蚀液为硫酸和磷酸的混合液，所述混合液中硫酸和磷酸的体积比为3:1～10:1，工艺温度为200℃～300℃，工艺时间为1分钟～60分钟。

10.如权利要求8所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，当利用干法刻蚀工艺刻蚀暴露出的部分衬底时，选用的干法刻蚀工艺为感应耦合等离子体干法刻蚀工艺。

11.如权利要求5所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，在所述衬底上形成反光体，所述反光体包括第一反光体和第二反光体，所述第一反光体环包所述凸形结构，所述第二反光体位于所述第一反光体上方，所述第二反光体形成碗状图形，所述碗状图形位于所述凸形结构的上方，所述第一反光体和第二反光体一体形成包括：

在所述衬底及凸形结构上形成反光层；

在所述反光层上形成光刻胶；

以刻蚀选择比为3:1～10:1的比例刻蚀所述光刻胶和反光层，直至光刻胶完全去除并且凸形结构的顶壁露出，以在所述衬底上形成反光体，所述反光体包括第一反光体和第二反光体，所述第一反光体环包所述凸形结构，所述第二反光体位于所述第一反光体上方，所述第二反光体形成碗状图形，所述碗状图形位于所述凸形结构的上方，所述第一反光体和第二反光体一体形成。

12.如权利要求5～11中任一项所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，所述凸形结构便于连接GaN层。

13.如权利要求5～11中任一项所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，所述反光体的材料为氮化硅及二氧化硅中的一种或两种组合。

14.如权利要求5～11中任一项所述的LED衬底结构的制作方法，其特征在于，所述衬底和凸形结构的材料为蓝宝石。