[发明专利]一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法有效
| 申请号: | 201410454362.8 | 申请日: | 2014-09-09 |
| 公开(公告)号: | CN105466828B | 公开(公告)日: | 2018-03-16 |
| 发明(设计)人: | 苏锐;满轲;王驹 | 申请(专利权)人: | 核工业北京地质研究院 |
| 主分类号: | G01N15/08 | 分类号: | G01N15/08;G01N3/12 |
| 代理公司: | 核工业专利中心11007 | 代理人: | 包海燕 |
| 地址: | 100029 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 裂隙 剪切 作用 下耐高渗压 密封 方法 | ||
技术领域
本发明属于裂隙介质水压力测量技术领域,具体涉及一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法。
背景技术
裂隙介质在一定加载压力作用下的渗水试验是裂隙介质的基本力学特性试验。裂隙介质的渗透系数、水压力测试及相关研究属于裂隙介质基本力学特性的研究范畴,其对于裂隙介质在不同工况下的渗透特性研究起着基础性的指导作用。对于岩石类含裂隙的准脆性材料,渗透性能是决定工程岩体长期安全性的重要因素。评价工程岩体长期稳定性的渗透参数是通过裂隙岩体在法向或切向等不同应力作用下的渗透试验获得的。确保裂隙介质在不同应力作用下的渗透试验均能达到密封,是准确测试裂隙岩体渗透性能的前提,其对于研究裂隙介质的渗透特性具有至关重要的意义。特别是在剪切作用下的渗透试验,更是需要深入研究。因此,如何实现裂隙介质在剪切滑动过程中耐高渗压的密封,是亟待解决的问题。
现有用于裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,是将裂隙岩体包裹在一定体积的空腔内,从空腔外部对空腔进行密封,间接地保证了裂隙岩体的密封。故其采用的密封方法仅仅反映了包裹空腔内部的裂隙岩体在不同力学作用下的渗透性能,并不能反映裂隙岩体自身在力学作用下的力学性能。更重要的是,这种方法具有很大的局限性,其只能在裂隙岩体较小体积下采用,并不适用于米级尺度及米级以上尺度的裂隙岩体密封。
发明内容
本发明需要解决的技术问题为:现有裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,仅反映了包裹空腔内部的裂隙岩体在不同力学作用下的渗透性能,并不能反映裂隙岩体自身在力学作用下的力学性能。
本发明的技术方案如下所述:
一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,包括以下步骤:
步骤1.设备布局
将两块材质相同的岩体上下摞列放置,上位裂隙岩体的下表面和下位裂隙岩体的上表面形成接触面;下位裂隙岩体的上表面设有一圈凹槽,凹槽内放置密封圈;上位裂隙岩体内部上下贯通钻取若干通孔,并且通孔的下端面均包含在下位裂隙岩体密封圈所围住的区域内;
步骤2.剪切作用下耐高渗压密封
水流从上位裂隙岩体的部分通孔流入,在接触面密封圈内部渗流,进而通过上位裂隙岩体的其余部分通孔流出。
作为优选方案:步骤2中,上位裂隙岩体、下位裂隙岩体之间接触面处的水流始终全部处于密封圈内部。
作为优选方案:所述上位裂隙岩体的通孔在上位裂隙岩体内部呈矩阵分布。
作为优选方案:上位裂隙岩体、下位裂隙岩体之间接触面粗糙度、密封圈凹槽表面粗糙度及密封圈内部水流介质表面粗糙度的范围均为0-1.6。
作为优选方案:所述密封圈的直径范围为0.3m-0.6m。
本发明的有益效果为:
(1)本发明的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,通过下位裂隙岩体上表面的密封圈得以保证水流在试验过程中始终密封在该区域内部,渗透性能测试结果能够准确反映裂隙岩体自身在力学作用下的力学性能;
(2)本发明的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,无需借助一定体积的空腔包裹,适用于米级尺度及米级以上尺度的裂隙岩体耐高渗压密封;
(3)本发明的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,能够持续性地测量并获得液体介质表面水压力的参数数据,并有针对性地获得某特定位置液体介质水压力数据;
(4)本发明的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,测量步骤便捷,测量结果准确可靠,特别适合于岩石、混凝土类准脆性材料的渗透性能测试。
附图说明
图1为本发明方法的上、下位裂隙岩体放置图;
图2为本发明方法的上位裂隙岩体内部及表面构造图;
图3为本发明方法的下位裂隙岩体内部及表面构造图。
图中,1-上位裂隙岩体,2-下位裂隙岩体,3-通孔,4-通孔下端面,5-密封圈,6-渗流区域,7-接触面。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法进行详细说明。
实施例1
本实施例的一种裂隙岩体在剪切作用下耐高渗压的密封方法,包括以下步骤:
步骤1.设备布局
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业北京地质研究院,未经核工业北京地质研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201410454362.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





