[发明专利]用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法

说明书

本申请公开了一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法。该掩膜版组件包括第一掩膜版和第二掩膜版，其中第一掩膜版包括至少两组第一图形单元，每组第一图形单元包括第一光阻挡区和第一光透过区；第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元，每组第二图形单元包括第三光透过区和第三光阻挡区，其中，第一掩膜版还包括：第二光阻挡区，设置于相邻第一图形单元之间；第二光透过区，设置于相邻第一图形单元之间；第二掩膜版还包括：第四光透过区，与第二光阻挡区的位置对应设置；第四光阻挡区，设置于相邻第二图形单元之间，且位于第四光透过区的两侧。该掩膜版组件中图形的均匀性得以提高。

技术领域

本申请涉及半导体集成电路的技术领域，具体而言，涉及一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法。

背景技术

SRAM(静态随机存储器)是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路既能保存它内部存储的数据。随着半导体工艺技术的不断发展，SRAM的集成度不断提高，SRAM中晶体管的尺寸也不断缩小，使得晶体管容易产生短沟道效应，最终影响SRAM的性能。为了克服上述问题，现有技术提出了鳍式场效应管(FinFET)。该鳍式场效应管包括凸出于衬底表面设置的鳍部，以及设置于该鳍部的上表面和侧壁上的栅极结构。在该鳍式场效应管中，鳍部的顶部以及两侧的侧壁与栅极结构相接触的部分形成沟道区，从而有利于增大驱动电流，并改善SRAM的性能。

现有SRAM中的鳍部的制作方法通常包括以下步骤：首先，在衬底上依次形成第一掩膜层和第二掩膜层；然后，采用第一掩膜版刻蚀第二掩膜层，并在剩余第二掩膜层的两侧侧壁上形成介质层；接下来，去除第二掩膜层，并采用第二掩膜版刻蚀介质层；最后沿剩余介质层中图形刻蚀第一掩膜层和衬底，以在衬底中形成鳍部。图1a和图1b分别示意出了上述制作方法所采用第一掩膜版和第二掩膜版的结构示意图。如图1a所示，第一掩膜版包括至少两组第一图形单元，每组第一图形单元包括多个平行设置的第一光阻挡区和相应地设置于相邻第一光阻挡区之间的第一光透过区，同时第一掩膜版还包括设置在相邻第一图形单元之间的第二光透过区。如图1b所示，第二掩膜版包括与每组第一图形单元的位置对应设置的第二图形单元，每组第二图形单元包括多组第二图形子单元，每组第二图形子单元包括沿第一光透过区的延伸方向交替设置在与第一光透过区相对应的位置上的第三光透过区和第三光阻挡区，且每组第二图形子单元的两端分别延伸至与第一光透过区相邻的第一光阻挡区上，同时第二掩膜版好包括设置在相邻第二图形单元之间的第四光阻挡区。

上述第一掩膜版中第二光透过区的宽度通常明显大于第一光透过区的宽度，以在采用上述第一掩膜版和第二掩膜版形成鳍部之后，在衬底中对应于第二光透过区的位置上形成其他的结构。因此，在采用第一掩膜版进行光刻的过程中通过第二光透过区和第一光透过区的光强有所不同，从而使得在将第一掩膜版中图形转移到掩膜层的过程中由于光的衍射造成的图形失真程度存在较大差异，且该图形失真程度的差异很难进行补偿校正。同时在采用上述第二掩膜版进行光刻的过程中，上述第二掩膜版中第三光透过区的密度(即第三光透过区的面积与所述第二掩膜版的面积之比)较小，使得光刻过程中曝光的光强过低，从而降低了采用第二掩膜版进行图形转移的准确性，并最终影响所形成SRAM的性能。针对上述问题，目前还没有有效的解决方法。

发明内容

本申请旨在提供一种用于形成SRAM鳍部的掩膜版组件以及鳍部的制作方法，以提高掩膜版组件中图形的均匀性。