[发明专利]等离子体损伤测试结构及其制作方法有效
申请号: | 201410414962.1 | 申请日: | 2014-08-21 |
公开(公告)号: | CN105355577B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 董燕;张冠;孙艳辉 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 吴贵明;张永明 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 等离子体 损伤 测试 结构 及其 制作方法 | ||
1.一种等离子体损伤测试结构的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括以下步骤:
在衬底中形成晶体管;
在所述晶体管上形成包括第一顶层金属层和第一底层金属层的互连层,并在所述衬底上形成包括第二顶层金属层和第二底层金属层的测试互连层,所述第一底层金属层与所述晶体管中的栅极之间形成电连接;
在所述第二顶层金属层上形成具有通孔的介质层;
在所述通孔中形成金属焊盘,并形成第一端位于所述第一顶层金属层的表面上的金属连接层,所述金属连接层与所述测试互连层之间形成电连接。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成所述金属焊盘和所述金属连接层的步骤包括:
形成覆盖所述第一顶层金属层、所述第一顶层金属层和所述第二顶层金属层之间的表面以及所述介质层和所述通孔的金属预备层;
刻蚀去除所述介质层的表面上的部分所述金属预备层,形成所述金属焊盘和第二端位于所述第二顶层金属层的表面上的所述金属连接层。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,
在形成所述互连层和所述测试互连层的步骤中,在所述互连层和所述测试互连层之间形成包括第三顶层金属层和第三底层金属层的中间互连层,所述第三底层金属层与所述第二底层金属层相连接;
形成所述金属焊盘和所述金属连接层的步骤中,形成覆盖所述第一顶层金属层、所述第三顶层金属层、所述第一顶层金属层和所述第三顶层金属层之间的表面、所述第三顶层金属层和所述第二顶层金属层之间的表面以及所述介质层和所述通孔的金属预备层,然后刻蚀去除位于所述介质层的表面上的部分所述金属预备层,形成所述金属焊盘和第二端位于所述第三顶层金属层的表面上的所述金属连接层。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,形成具有所述通孔的所述介质层的步骤包括:
形成覆盖所述第一顶层金属层和所述第二顶层金属层的表面,以及所述第一顶层金属层和所述第二顶层金属层之间的表面的介质预备层;
刻蚀所述介质预备层以形成所述通孔和介质层。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,
在形成所述测试互连层的步骤之前,在所述衬底中形成二极管;
在形成所述测试互连层的步骤中,形成与所述二极管电连接的所述第二底层金属层。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的制作方法,其特征在于,在形成所述互连层的步骤中,形成与所述互连层电连接的天线结构。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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