[发明专利]一种提高阱容量的图像传感器像素及其制作方法

权利要求书

1.一种提高阱容量的图像传感器像素，包括置于半导体基体中的光电二极管以及电荷传输晶体管，其特征在于，所述光电二极管的侧面设置有晶体管电容，所述晶体管电容的栅极位于所述半导体基体内，所述晶体管电容的沟道位于所述光电二极管中。

2.根据权利要求1所述的提高阱容量的图像传感器像素，其特征在于，所述晶体管电容的栅极被相邻的两个像素的晶体管电容共用。

3.根据权利要求2所述的提高阱容量的图像传感器像素，其特征在于，所述晶体管电容的栅极多晶硅深度为0.2um～0.8um。

4.根据权利要求3所述的提高阱容量的图像传感器像素，其特征在于，所述晶体管电容的栅极多晶硅与所述光电二极管之间设置有氧化层，其厚度为4nm～15nm。

5.根据权利要求4所述的提高阱容量的图像传感器像素，其特征在于，所述晶体管电容的栅极多晶硅下端设置有隔离注入层，其深度不小于0.2um，其离子浓度不小于1E+18Atom/cm³，其离子类型与所述光电二极管类型相反。

6.根据权利要求5所述的提高阱容量的图像传感器像素，其特征在于，所述光电二极管种类包括N型光电二极管和P型光电二极管。

7.一种权利要求1至6任一项所述的提高阱容量的图像传感器像素的制作方法，其特征在于，包括步骤：

a.在紧邻浅槽隔离制作工艺完毕后，淀积氮化硅保护层，其厚度为0.2um～0.3um，并在预定区域开口；

b.干法离子刻蚀，将步骤a中氮化硅开口区域的硅基体刻蚀掉，其深度为0.2um～0.8um；

c.在氧气环境下，高温加热，使步骤b中裸露的硅表面氧化生成氧化层，其厚度为4nm～15nm；

d.离子注入，注入离子类型与光电二极管类型相反，其注入深度不小于0.2um，其注入区离子浓度不小于1E+18Atom/cm³；

e.淀积多晶硅，将硅缺口填平，至高出半导体硅表面；

f.化学机械研磨，将氮化硅表面上的多晶硅研磨去除；

g.干法离子刻蚀，将氮化硅保护层去除。